【課題】相補型（ＣＭＯＳ）集積回路におけるプルアップデバイスとしてＰＭＯＳＦＥＴの代替品となる新たな種類のｎチャネルＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】切換可能な負性微分抵抗（ＳＮＤＲ）特性を有するｎチャネルＦＥＴを開示している。このＳＮＤＲＦＥＴをデプリーションモードデバイスとして構成し、実質的にｐチャネルデバイスとして動作するようにバイアスをかける。このデバイスはｎチャネルデバイスであるから、動作速度は高く、一方、大規模回路として設計製造する際のプロセス技術の複雑性は緩和される。このデバイスはＣＭＯＳに匹敵する性能を達成するので論理ゲート（インバータに含まれるものなど）におけるｐチャネルプルアップデバイスの代替品として好適である。 （もっと読む）

【課題】 単一のシリコンウェーハ中に形成した互いに異なる回路に多様な負性微分抵抗（ＮＤＲ）特性を付与できるように製造工程中または出荷後のフィールドでの通常動作中に最大電流対最小電流比（ＰＶＲ）値などの特性値を調整できるようにしたＮＤＲデバイスを提供する。
【解決手段】 互いに異なるＮＤＲモードを発現するように動作中に多様にＮＤＲ特性を変える過程を含むＮＤＲ素子の制御の方法を開示している。ＮＤＲ素子（シリコン利用のＮＤＲ ＦＥＴなど）に印加するバイアスの条件を変えることによって、最大電流対最小電流比（ＰＶＲ）値（またはそれ以外の特性）をＮＤＲ素子利用回路の所望の動作変化の実現のために動的に変えることができる。例えば、メモリ用または論理回路用では、動作電力の削減のために最小電流値を休止期間中に小さくすることができる。すなわち、適応型ＮＤＲ素子を慣用の半導体回路の中で有利に活用することができる。 （もっと読む）