【課題】有機半導体層の結晶性を向上可能な有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１の一表面側にゲート電極２が形成されるとともに、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３が形成されており、ゲート絶縁膜３におけるゲート電極２側とは反対の表面側においてソース電極４とドレイン電極５とが離間して形成され、ゲート絶縁膜３の上記表面側においてソース電極４とドレイン電極５との間の領域に一部が形成された有機半導体層７とを備えている。また、有機半導体層７とゲート絶縁膜３との間に自己組織化単分子膜８が設けられており、有機半導体層７は、自己組織化単分子膜８におけるゲート絶縁膜３側とは反対の表面においてソース電極４とドレイン電極５との間の領域に形成した多数の有機ナノ構造体（有機ナノドット）６を核として形成された有機半導体薄膜により構成されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体に効率よくナノドットを作製できるナノドットの作製方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜に中性粒子ビームを照射することによって、平均最大径が５〜８００ｎｍのナノドットを作製するナノドットの作製方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレン又はフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層での変換効率の向上を図れる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の一表面側に形成された第１の電極２と、第１の電極２における基板１側とは反対側で第１の電極２に対向する第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に設けられた光電変換層３と、基板１の上記一表面側で第１の電極２、光電変換層３、第２の電極４の露出表面を覆う形で形成された表面保護層７とを備える。光電変換層３は、第１の電極２における当該光電変換層３側に設けられた多数の有機ナノ構造体５と、有機ナノ構造体５とは異なる有機半導体材料により形成され各有機ナノ構造体５が埋設された機能層６とで構成されている。 （もっと読む）