【課題】固定砥粒方式で半導体ウェハを切り出しつつ、酸によるエッチング処理であっても半導体ウェハの表面全体にテクスチャーを形成することのできる製造方法、及びその製造方法による半導体ウェハを提供する。
【解決手段】その半導体ウェハは、固定砥粒方式のスライス工程、ウェットブラスト方式のダメージ層形成工程、及び乾燥工程を経て製造され、酸によるエッチング処理が施される。スライス工程では、表面に砥粒を分散固定した芯線によって結晶性インゴットを切削する。ダメージ層形成工程では、スライス工程の後、半導体ウェハの表面に対して液体と砥粒とのスラリを噴射する。乾燥工程では、ダメージ層形成処理の次に、半導体ウェハを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。 （もっと読む）