【課題】 発光素子の機能および効率を向上させ、高効率および高電力で動作する特定の能力を有する層状ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】 層状ヘテロ構造発光素子は、少なくとも、基板、ｎ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型酸化亜鉛系正孔注入層領域、およびオーミック接触層領域を含む。あるいは、素子はキャッピング層領域も含んでよく、または反射層領域および保護キャッピング層領域を含んでもよい。素子はオーミック接触層領域に隣接する１つ以上の埋め込み挿入層を含んでもよい。オーミック接触層領域は、酸化インジウムスズ、酸化ガリウムスズ、または酸化インジウムスズ材料といった材料からなり得る。ｎ型窒ガリウム系クラッド層領域と電気的に接触するｎ型電極パッドが形成される。ｐ型領域と電気的に接触するｐ型パッドが形成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】積層ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）は、基板と、基板上に成長する第１の酸化物半導体層と、第１の半導体層上に成長し、第１の半導体層とエネルギー・バンドギャップが異なる第２の酸化物半導体層と、を備え、また、前記第２の層は、ゲート領域と、ドレイン領域と、ソース領域と、を有し、ゲート領域、ドレイン領域、及びソース領域に対しては、ＨＦＥＴを形成するのに十分な電気的接触がもたらされる。基板は、単結晶材料を含む材料とすることができ、また、第１の半導体層がその上に成長するバッファ層材料を含有することができる。第１及び第２の半導体層の導電型ならびに各酸化物半導体層の組成は、ＨＦＥＴの所望の動作性能特性が改善されるように選択することができる。この積層構造は、半導体ＨＦＥＴデバイスの機能ならびに高周波及び高電力性能の改善に応用することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させること。
【解決手段】
半導体デバイスの性能を向上させる材料および構造には、ＺｎＢｅＯ合金材料、ＺｎＣｄＯＳｅ合金材料、格子整合のためにＭｇを含有し得るＺｎＢｅＯ合金材料、および、ＢｅＯ材料が挙げられる。ＺｎＢｅＯ合金系、すなわち、Ｚｎ_１−ｘＢｅ_ｘ０におけるＢｅの原子分率ｘは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも大きな値になるまで増加するよう変化させることができる。ＺｎＣｄＯＳｅ合金系、すなわち、Ｚｎ_１−ＹＣｄ_ＹＯｉ_−ｚＳｅ_ｚにおけるＣｄの原子分率ｙとＳｅの原子分率ｚは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも小さい値になるまで減少するよう変動させることができる。形成された各合金は、選択されたドーパント元素を用いることによって、アンドープ、または、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされることができる。これらの合金は、単独または組み合わせて用いられて、一定の波長値の範囲にわたって放射可能な活性フォトニック層、単一および多重量子井戸のようなヘテロ構造、並びに超格子層またはクラッド層を形成し、光半導体デバイスや電子半導体デバイスを製造することができる。このような構造は、半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させるために利用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＦＥＴデバイスの機能及び高周波性能を改善するために用いることができる、ゲート電圧バイアス供給回路素子を備えたエピタキシャル積層構造を提供する。
【解決手段】半導体電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）デバイスの性能を改善するためのゲート電圧バイアス供給回路素子を備えたエピタキシャル積層構造は、基板と、該基板上にエピタキシャルに成長したｎ型またはｐ型の第１の層の半導体膜であって、基板と第１の層膜との間にバッファ層が存在する可能性がある第１の層の半導体膜と、第１の半導体層上にエピタキシャルに成長した活性半導体層であって、活性層の導電型が第１の半導体層の導電型と反対であり、またＦＥＴを形成するのに十分なゲート、ドレイン、ソースへの電気コンタクトを備えたゲート領域及びドレイン領域及びソース領域を有する活性半導体層と、基板または第１の半導体層上の電気コンタクトと、デバイス性能を向上させるのに十分な電圧極性及び大きさで、ゲートコンタクト及び基板または第１の半導体層に電気的に接続されたゲート電圧バイアス供給回路素子と、からなる構造を利用する。
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