【課題】 高集積フラッシュＥＥＰＲＯＭ単位セル及びそれを含むメモリーアレイ構造体 を提供する。
【解決手段】 本発明によるフラッシュＥＥＰＲＯＭ単位セルは、単位セルの分離のためのフィールド酸化膜が形成されている基板と、隣接する前記フィールド酸化膜の間に形成され、前記基板に形成されたソースとドレーンの間で並列連結されている第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜を含み、前記第１の誘電体膜の厚さは前記第２の誘電体膜より厚く形成されているフローティングゲート誘電体膜と、前記フローティングゲート誘電体膜の上部に積層されているフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上部に積層された制御ゲート誘電体膜と、前記制御ゲート誘電体膜の上部に積層された制御ゲートと、を含むことをことを特徴とする。
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