モノリシックレーザアレイは、レーザ素子の隣り合う対同士の間においてボンドパッド金属化部と駆動端子金属化部を、顕著に削減する態様の複数の並列レーザ素子を有する。各々のレーザ素子は、光軸に沿って延びる導波路と、導波路の少なくとも一部に沿って延びる駆動端子と、駆動端子から側方に延びるボンドパッド領域とを有する。レーザ素子は、隣り合うレーザ素子と対をなし、対をなす各々のレーザ素子は、その対をなす他方のレーザ素子へと側方に延び、対をなすレーザ素子同士の間の基板表面のそれぞれの部分を占有するボンドパッド領域を有する。レーザ素子の対同士の間の基板表面は、それによって実質的にボンドパッドの金属化部がなく、アレイ長にわたって高分割領域を形成する。 （もっと読む）

半導体構造内で半導体デバイスを製造する方法は、基板上に第１の比較的に高品質なエピタキシャル層を形成し、高品質層が量子井戸を含み、高品質層の頂部に第２の比較的に低品質のエピタキシャル欠陥層を形成し、構造内に量子井戸混合を達成するため、欠陥層から高品質層内への欠陥の少なくとも部分的な拡散をもたらすために構造を熱で処理することにより、デバイスの所要領域内で向上された量子井戸混合を提供する。高品質エピタキシャル成長されるデバイス体に頂部または内部でエピタキシャル成長される欠陥層の使用は、量子井戸混合技術を低温度で実行でき、それにより、デバイス特性を改良する。
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【課題】印刷品質を最適化し、パワーを減少させ得る印刷ヘッドを提供すること。
【解決手段】
本発明の印刷ヘッドは、モノリシック半導体レーザアレイと、駆動回路６３と、変調回路６６とを含んでいる。駆動回路６３は、アレイ中の各レーザ素子に駆動電流を供給し、アレイ中のレーザ素子を、所望の印刷パターンに従ってアドレス指定するようにように構成されている。変調回路６６は、アレイ中の各レーザ素子に対する駆動電流を、予め定められた較正アルゴリズムに従って変化させる。 （もっと読む）

【課題】印刷品質を最適化し、パワーを減少させ得る印刷装置を提供すること。
【解決手段】印刷ヘッドは、モノリシック半導体アレイ１４１〜１４ｎを含む。アレイ１４１〜１４ｎは、その中のレーザ素子１４２が、その光軸に直交する横軸に沿って最小のレーザ分離間隔を有するように、横軸に沿って延びている。駆動回路は、アレイ１４１〜１４ｎ中の各レーザ素子１４２に駆動電流を供給し、所望の印刷パターンに従って各レーザ素子１４２を個別的にアドレス指定する。変位手段は、レーザ素子１４２が印刷媒体上にドットを形成できるように、印刷媒体を、搬送方向に沿って、レーザアレイに対して相対的に変位させる。印刷ヘッドは、印刷媒体上での最小ドット分離間隔を、最小のレーザ分離間隔よりも小さくすべく、レーザアレイの横軸が搬送方向に対して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】印刷品質を最適化し、低パワーを実現し得るレーザ・マーキング・システムを提供すること。
【解決手段】レーザ・マーキング・システムは、感熱性印刷媒体又は感光性印刷媒体に光エネルギーを送るレーザアレイと、駆動回路６３と、変調回路６６とを含んでいる。駆動回路６３は、アレイ中の各レーザ素子に駆動電流を供給し、アレイ中のレーザ素子を、所望の印刷パターンに従ってアドレス指定するようにように構成されている。変調回路６６は、所望の印刷パターンに従って、印刷画像の光学的濃度又は不透明度を維持し又は改善すべく、当該レーザ・マーキング・システムの制御パラメータを変調するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度のレーザピッチを有する幅広の印刷ヘッドを構成するのに適した複合半導体レーザアレイを提供すること。
【解決手段】 モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３のそれぞれは、レーザ素子３４−１を有している。レーザ素子３４−１は、多重平行出力ビームを生じるように構成されている。多重平行出力ビームは、モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３内において、実質的に一定のピッチを有している。モノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３のそれぞれは、共通担体３３に取り付けられ、それによって、多重平行出力ビームが、担体３３上のモノリシック半導体レーザアレイ３１−１、３１−２及び３１−３において実質的に一定のピッチに保たれる。 （もっと読む）

【課題】印刷品質を最適化し、パワーを減少させ得る印刷ヘッドを提供すること。
【解決手段】
本発明に係る印刷ヘッドは、モノリシック半導体レーザアレイ３１と、駆動回路と、変調回路と、出力導波管とを含む。駆動回路は、アレイ３１中の各レーザ素子３４に駆動電流を供給し、所望の印刷パターンに従って、アレイ３１中の各レーザ素子３４を別々に指定するように構成されている。出力導波管７０は、アレイ３１からの半導体レーザ出力のそれぞれを、印刷媒体搬送路に相当する像平面に焦点合わせをするように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体デバイスの形成時に、エネルギーバンドギャップを変更する量子井戸混合（ＱＷＩ）技術によって、ＱＷＩ処理を空間制御し、ウエハ、デバイス及び基板上に様々なバンドギャップを得る。
【解決手段】少なくとも一つの量子井戸を画定する一つまたは複数のコア層を含む基板を形成し、量子井戸を覆う連続する混合バリア層を付着し、連続する混合バリア層の各々は半導体材料で形成され、先行するバリア層と異なるエッチング特性を持ち、基板上の異なる領域において、バリア層の厚みが異なるように、基板上の異なる領域にある複数の連続するバリア層をエッチングし、量子井戸領域の混合の程度がバリア層の全厚みの関数として変化するように、混合剤を基板表面に適用し、それぞれの領域にある量子井戸で複数のバンドギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 量子井戸混合（ＱＷＩ）方法に関し、光半導体デバイス生成時にエネルギーバンドギャップを変更して、ＱＷＩ処理を空間的に制御し、複数のバンドギャップをウエハ上と、デバイスと、基板表面に生成する。
【解決手段】 半導体基板表面の第１領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第１の熱処理サイクルを行い、第１領域に第１のバンドギャップを生成し、基板の表面の、第１領域と異なる第２領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第２の熱処理サイクルを行い、第２領域に第２のバンドギャップを生成し、累積バンドギャップを前記第１領域に生成し、累積バンドギャップでは前記第１および第２熱処理サイクルの結果が累積されている。
さらなる工程で累積バンドギャップを追加する。 （もっと読む）

【課題】 垂直方向でみたビーム発散を低減した半導体導波路デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体レーザーデバイスは、遠視野及びビーム発散を低減するためのビーム制御層（４２、４１）を備えている。ビーム制御層の内部において、半導体材の物理的特性がそのビーム制御層にわたり、深さの関数として変化している。このような特性の変化は、半導体材の特性が第１のレベルから第２のレベルまで次第に変化する第１のサブ層（４２）、及び、半導体材の特性が前記第２のレベルから第３のレベルまで変化する第２のサブ層（４１）を付与することにより為される。好ましい構成の場合、半導体材の伝導帯末端が、ビーム制御層にわたってＶ字状のプロファイルとなっている。 （もっと読む）