磁気メモリ内に磁気メモリ・セルを設ける方法およびシステムが開示される。本方法およびシステムは、各磁気メモリ・エレメントを設けること、磁気メモリ・エレメント毎に第１書き込み線および第２書き込み線を設けることを含む。磁気メモリ・エレメントは、上部および底部を有する。第１書き込み線は、磁気メモリ・エレメントの下方にあり、磁気メモリ・エレメントの底部と電気的に接続されている。第２書き込み線は、磁気メモリ・エレメントの上方にある。第２書き込み線は、磁気メモリ・エレメントから電気的に分離されており、第１書き込み線に対して所定の角度をなして配位されている。この磁気メモリ・セルは、製造プロセスの簡素化、セル・サイズの縮小、およびプログラミング効率の向上を可能にする。 （もっと読む）

磁気メモリを提供し、使用するための方法及びシステムが開示される。その磁気メモリは複数の磁気メモリセルと、複数の磁性書込み線と、複数の磁性バイアス構造とを含む。複数の磁性書込み線は複数の端部領域を有する。複数の磁性バイアス構造は複数の磁性書込み線の複数の端部領域に結合される。 （もっと読む）

磁気メモリを提供するための方法及びシステムが開示される。その磁気メモリは磁性素子を含む。その磁性素子は第１の書込み線及び第２の書込み線を用いて書き込まれ、第１の書込み線と第２の書込み線とが交差する場所に存在する。第２の書込み線は第１の書込み線に対して或る角度に向けられる。第２の書込み線は上側と少なくとも１つの側面とを有する。第２の書込み線の少なくとも一部が絶縁層によって覆われる。磁性層が絶縁層の一部を覆う。絶縁層のその一部は、磁性層と第２の書込み線との間に存在する。磁性層は軟磁性材料を含む。 （もっと読む）

磁気ランダム・アクセス・メモリを提供して使用する方法およびシステムが開示される。この方法およびシステムは、複数の磁気メモリ・セル、第１の複数の書き込み線、および第２の複数の書き込み線を設けることを含む。第１の複数の書き込み線は、複数の磁気書き込み線である。複数の磁気線のうちの少なくとも１つ、および第２の複数の書き込み線のうちの少なくとも１つは、各々、複数の磁気メモリ・セルのうちの少なくとも１つに書き込むための電流を搬送する。好ましくは、複数の磁気書き込み線は、軟磁性の特性を有し、磁気ビット線であることが好ましい。磁気メモリ・セル内の磁気トンネリング接合スタックでは、磁気ビット線は、磁気メモリ・セルの自由層よりも遥かに厚く、これに近接して配置されていることが好ましい。
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複数の磁気素子を含む磁気メモリをプログラミングする方法およびシステムを開示する。この方法およびシステムは、磁気メモリの温度を検知して、磁気メモリの温度の指示を与えることを含む。また、この方法およびシステムは、磁気メモリの温度の指示に基づく電流を供給することを含む。この電流は、温度に依存し、別個に生成される電流を追加することなく、複数の磁気素子の少なくとも一部をプログラミングする際に使用可能である。加えて、この方法およびシステムは、複数の磁気素子の少なくとも一部に電流を搬送することも含む。温度は、少なくとも１つの温度センサによって検知されることが好ましく、電流は、温度センサ（複数の温度センサ）に結合された電流源によって供給されることが好ましい。 （もっと読む）