発光デバイスは、発光中心、たとえば、半導体ナノ粒子を有する広バンドギャップ材料を有する、基板上に堆積された１つまたは複数の活性層を有する活性層構造を含む。活性層構造から光を実際に取り出すために、透明電極が、活性層構造を覆って配設され、ベース電極が、基板の下に設置される。活性層構造の上部層より高い導電率を有する遷移層は、上部透明電極と活性層構造との間、および、活性層構造と基板との間の接触領域に形成される。したがって、活性層構造に関連する高電界領域は、接触領域から後方に離れるように移動し、それにより、透明電極と、活性層構造と、基板との間に流れる所望の電流を生成するのに必要な電界が減少し、また、大きな電界の関連する有害な作用が低減される。
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発光デバイスの加工構造は、電界を発生するＡＣまたはＤＣ電極間に配設された交互になった活性材料とバッファ材料の複数層を備える。活性層は、ホスト・マトリックス、たとえば、二酸化シリコンまたは窒化シリコンなどのバンドギャップが広い半導体または誘電体材料内に、発光中心、たとえば、第ＩＶ族半導体ナノ粒子を含む。バッファ層は、バンドギャップが広い半導体または誘電体材料で構成され、隣接する活性層内の発光中心を、所望の波長で効率的に光を放出させる励起エネルギーで励起するのに十分なエネルギーを、バッファ層を通過する電子が受け取ることを保証する厚さを、印加される電界の方向に有するように設計される。
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固体デバイスから放射するように固体デバイスに電力を供給する構成および配置をとる電源と結合可能な固体デバイスを含む発光アセンブリである。一連の希土類ドープケイ素および／または炭化ケイ素ナノ結晶は、単一層内で、または個別の層内で組み合わされ、必要な赤色、緑色、および青色（ＲＧＢ）を発生し、白色光を形成する。

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