【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

サンプルの表面上の欠陥又は汚染を識別する方法及び装置に関する。本システムは、振動形の接触電位差（ｖＣＰＤ）と非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）との両方を用いて、表面全体の仕事関数の変化を検出するように動作する。本システムは、サンプルの全体にわたって仕事関数の変動を映像化するために、非振動形の接触電位差（ｎｖＣＰＤ）センサを利用する。データは、サンプルの表面の全体にわたって仕事関数（又は形状もしくは表面の電圧）の変化を示すために微分形式である。ｖＣＰＤプローブは、サンプルの表面上の特定の点の絶対的なＣＰＤデータを測定するために使用される。振動形及び非振動形のＣＰＤ測定モードを組み合わせることにより、サンプル全体の均一性を迅速にイメージングし、１つ以上の点において絶対的な仕事関数を検出することが可能になる。
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材料の表面上にある欠陥または汚染を特定するための方法およびシステム。この方法およびシステムは、半導体ウェハなどの材料を提供することと、ウェハを走査するための非振動接触電位差センサを用いることと、接触電位差データを発生し、欠陥または汚染の特徴を示すパターンを特定するためにそのデータを処理することとを含む。
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材料の表面上の欠陥または汚染を特定する方法およびシステム。この方法およびシステムでは、半導体ウェハなどの材料を提供し、非振動式接触電位差センサを用いてウェハを走査し、接触電位差データを発生し、このデータを処理して、欠陥または汚染の特性を示すパターンを特定する。

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