有効な光起電電池、及び背面p-n接合が反対極性にドープされたエミッタ層を有するドープ基板から取り除かれる光起電電池製造プロセスが開示される。前面及びエッジ及び場合によっては背面周縁はマスクされ、背面エッチングが行われる。マスクは取り除かれず、抗反射コーティング、パッシベーション化剤又は両方として作用する。光起電電池は、前面の凹凸の有無に関わらず、凹凸が付されていない（untextured）背面を保持し、背面上のドーパント層は取り除かれて電池の効率を向上させる。場合によっては、裏面電界（BSF）が形成される。
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