相変化メモリ用のカルコゲナイド薄膜の形成方法が開示される。本発明によるカルコゲナイド薄膜の形成方法は、反応器の内部にパターンが形成されている基板をローディングし、ソースガスを基板上に供給する。このとき、ソースガスは、Ｇｅ原料ガス、Ｇａ原料ガス、Ｉｎ原料ガス、Ｓｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガス、Ｓｎ原料ガス、Ａｇ原料ガス及びＳ原料ガスから選択された１種以上からなる。そして、基板上に供給されたソースガスをパージするために基板上に第１パージガスを供給し、基板上にソースガスを還元させるための反応ガスを供給し、基板上に供給された反応ガスをパージするために基板上に第２パージガスを供給する。そして、パターン内部の蒸着速度がパターン上部の蒸着速度より大きくなるように、第１パージガスの供給時間変更及び前記反応器の内部の圧力調節のうち少なくとも一つを行う。本発明によれば、パターンの上部に薄膜が形成される速度よりパターンの内部に薄膜が形成される速度が大きくなるように、ソースガスをパージする時間を変更するか、または反応器の内部の圧力を調節することによって、ギャップ・フィル特性の優秀なカルコゲナイド薄膜を形成できる。
（もっと読む）

【課題】突起部の形状を工程の特性に応じて多様化することができ、突起部を有する静電チャックの製造工程を単純化し、製造工程の安定化と超大型面積化への対応が容易な真空処理装置の静電チャック、それを有する真空処理装置、及び静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】真空処理装置の静電チャック１００は、複数の突起部１１１が形成された母材１１０と、母材１１０上に形成された絶縁層１２０と、絶縁層１２０上に形成されて電源の供給により静電気力を発生させる静電層１３０と、静電層１３０上に形成された誘電層１４０とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜蒸着を一つのチャンバで連続的に遂行して、チャンバ内部には１ないし６個のウエハー（wafer）をローディング（Loading）して薄膜を蒸着する方法に関する。本発明による薄膜蒸着方法は、シャワーヘッド又はガス噴射手段と基板の間の工程間隔を調整可能な半導体薄膜蒸着チャンバ内で基板に薄膜を蒸着する方法において、（ａ）少なくとも一つの基板をチャンバの内部にローディングする段階、（ｂ）第１工程の間隔を維持する基板にＴｉ薄膜を蒸着する段階、（ｃ）前記Ｔｉ薄膜が蒸着された基板の工程間隔を調整するためにウエハーブロックを、第１工程間隔が第２工程間隔となるように移動させる段階、（ｄ）前記第２工程間隔に移動された基板にＴｉＮ薄膜を蒸着する段階、及び、（ｅ）前記Ｔｉ／ＴｉＮ薄膜が蒸着された基板をアンローディングする段階を含むことを特徴とする。本発明によれば、一つのチャンバで１ないし６個の基板にＴｉ／ＴｉＮ薄膜蒸着が連続進行可能になれば、通常このような場合４個のチャンバの中から１個だけＰＭ期間になるように調整することで、クラスタツールの可動率が大きく向上する。また、一つのチャンバでＴｉ／ＴｉＮを連続遂行するようになればＴｉチャンバからＴｉＮチャンバの方に基板を移す時間を節約できるので単位時間当り基板処理効率も非常に高くなる。 （もっと読む）

【課題】素子回路線幅の超微細化、パターン縦横比の増加、および蒸着温度の低下にもかかわらず、膜特性、段差塗布性、大気／湿気露出に対する膜質変化に対する安定性の全てを満足させる多重積層膜構造の金属窒化膜の蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１蒸着速度で第１下部金属窒化膜を形成し、前記第１下部金属窒化膜上に第２蒸着速度で第２下部金属窒化膜を形成し、前記２段階によって形成された下部ＴｉＮ膜上に、窒素（Ｎ）含有量の多い上部金属窒化膜を第３蒸着速度で形成することからなり、前記ｎ番目膜の蒸着速度は、第２蒸着速度≧第１蒸着速度≧第３蒸着速度である。本発明によれば、基板上にＴｉＮ積層膜を形成することで、大気／湿気露出に対する安定性を向上させることができ、クラスタシステムの同一反応チャンバーまたは相違した反応チャンバーで容易に基板上にＴｉＮ積層膜を形成することができる。 （もっと読む）