説明

エーエスエム ナトゥール インク.により出願された特許

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本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン−サイチュ(in−situ)で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。 (もっと読む)


本発明のプロセスは半導体ウエハー表面に銅配線を形成する。該プロセス中、最初に、狭い(322)及びラージ(326)フィーチャーを該ウエハーの上部表面に提供し、そして、電着工程を使用することにより1次銅層(334A)を堆積する。該1次銅層は該フィーチャーを完全にふさぎ、そして、狭いフィーチャー上に平坦な表面及びラージフィーチャー上に平坦でない表面を形成する。電気化学メカニカル堆積工程を使用することにより、2次銅層(334B)を該1次銅層上に堆積し、狭い及びラージフィーチャー上に平坦な銅層を形成する。このプロセス工程後、電解研磨工程を使用して平坦な銅層の厚みを薄くする。
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