【課題】本発明の目的は、大きなバンドギャップを有する半導体をベースとして安定し且つ再現可能な信号を生成する、媒体の物理的及び／又は化学的特性を決定する半導体センサを利用可能にすることである。
【解決手段】本発明は媒体の物理的特性及び／又は化学的特性を決定する半導体センサに関する。本発明による半導体センサ１は感応面を有する電子要素３を備え、この電子要素３は大きいバンドギャップを有する半導体（ワイドギャップ半導体）をベースとしてその一部が構成されている。感応面の少なくとも一領域には、イオン感応面を有する機能層配列４が備わっている。この機能層配列４は複数の層を備え、これら複数の層のうち、少なくとも一つの層が決定対象のイオンに対して不透過性であり、少なくとも一つの他の層が決定対象のイオンに対して部分的に透過性である。 （もっと読む）

本発明は、電子部品に関するもので、接触平面に位置する少なくとも一つの接触表面と、前記接触平面の上方にある少なくとも一つの絶縁層と、該部品の機械的安定性を高めるために、前記絶縁層に接して配置される少なくとも一つの安定化層と、少なくとも一つのボンディング及び／または半田接点とを有し、前記絶縁層及び前記安定化層が少なくとも一つの開口を有し、その開口が、前記接触表面から離れて対向する前記安定化層の一表面に向かって開口するとともに、前記安定化層及び前記絶縁層を通じて前記接触表面まで達し、前記ボンディング及び／または半田接点が、前記安定化層を横切って延び、前記開口を通じて前記接触表面に接する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、基板（４）と、基板に配設されている少なくとも１つの長尺状の第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）と、基板に配設されている少なくとも１つの第２の電極（２ａ、２ｂ）とを備え、第１および／または第２の電極は、長手方向に閉じている半導体部品に関する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、一の平面内に広がる平面状の基板上に形成される少なくとも２つのユニットセルを備える電気回路であって、ユニットセルはそれぞれ、異なる機能を持つコンタクトポイントを少なくとも２つ有しており、基板および／またはユニットセルの上に配設されている少なくとも１つの誘電層と、コンタクトポイントおよび／または基板の上方に、平面に対して平行に配設されている少なくとも２つのコンタクト面とを備え、同一の機能を持つコンタクトポイントは、誘電層を貫通している少なくとも１つの貫通コンタクト部を介して、同一の機能を持つコンタクトポイントの少なくとも一部のための少なくとも１つの共通のコンタクト面に電気的に接続されており、対応するコンタクト面を介して、外部と共通に接触する電気回路に関する。 （もっと読む）

【課題】 第ＩＩＩ族窒化物半導体を含むマイクロメカニカル・アクチュエータを提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１）と、基板に接続されて、基板に対して少なくとも部分的に偏向され、第ＩＩＩ族元素の窒化物をベースとする半導体化合物を有する屈曲構造（２）と、屈曲構造に電流を与える、または電圧を印加する、そのうち少なくとも２つが互いから離間されて屈曲構造上に設けられているおよび／または屈曲構造に一体化されている、少なくとも２つの電力供給コンタクト（３ａ、３ｂ）とを備える半導体アクチュエータに関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、大きなバンドギャップを有する半導体をベースとして安定し且つ再現可能な信号を生成する、媒体の物理的及び／又は化学的特性を決定する半導体センサを利用可能にすることである。
【解決手段】本発明は媒体の物理的特性及び／又は化学的特性を決定する半導体センサ、詳細にはｐＨセンサに関する。本発明による半導体センサ（１）は感応面を有する電子要素（３）を備え、前記要素は大きいバンドギャップを有する半導体（ワイドギャップ半導体）をベースとしてその一部が構成されている。前記感応面の少なくとも一領域には、イオン感応面を有する機能層配列（４）が備わっている。前記機能層配列（４）は、少なくとも決定対象の媒体及び／又は材料若しくはイオンに対して不透過性である少なくとも一つの層を有する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体構造を有するセンサ素子を提供する。
【解決手段】半導体センサ素子は、圧力、温度、力、偏向、または、加速度を決定するために役立つ。前記半導体センサ素子は、その上に配置された基板ベース１と、III族窒化物からなる均質な半導体層とを有する。均質な半導体層２、２ｆの表面は、基板ベース１の表面と少なくとも部分的に間隔を置いた状態で面している。また、均質な半導体層２、２ｆにより生成され得る電気出力信号を伝達するための少なくとも２つの導電コンタクト５が、均質な半導体層２、２ｆの上または下に配置されるか、または、該均質な半導体層２、２ｆ内に一体化されるよう特徴付けられている。
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