例えば、多孔質アノード酸化アルミニウム層などの多孔質アノード酸化物層を有する複合構造を記載する。一局面において、本発明は、多孔質金属基材；該多孔質金属基材の上に配された多孔質アノード酸化アルミニウム層；および該多孔質アノード酸化アルミニウム層の上に配された高密度ガス選択性膜を備える複合ガス分離モジュールを含む。多孔質アノード酸化アルミニウム層に、多孔質アノード酸化アルミニウム層内に延びる細孔が設けられている複合フィルターを記載する。複合ガス分離モジュールおよび複合フィルター製作方法、ならびに水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離するための方法もまた記載する。 （もっと読む）

複合ガス分離モジュールは、多孔性金属基材；多孔性金属基材のタンマン温度より高いタンマン温度を有する粉末を含む中間層、ここで中間層は多孔性金属基材の上に存在する；および高密度水素選択膜、ここで高密度水素選択膜は中間層の上に存在する；を含有する。別の態様において、複合ガス分離モジュールは、多孔性金属基材；中間粉末層；および高密度水素選択膜、ここで高密度水素選択膜は中間粉末層の上に存在する；を含有する。 （もっと読む）

本発明は、複合ガス分離モジュールを製造する方法、および該方法によって形成される複合ガス分離モジュールに関する。また、本発明は、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離する方法に関する。一つの態様において、複合ガス分離モジュールを製造する方法は、第一の材料を多孔質基材上に堆積し、それにより、被覆された基材を形成することを含む。被覆された基材を研磨し、それにより、研磨された基材を形成する。次いで、第二の材料を、研磨された基材に堆積させる。第一の材料、第二の材料または第一の材料および第二の材料双方はガス選択性材料を含み得る。例えば、ガス選択性材料は水素選択性金属、例えば、パラジウム、またはその合金を含み得る。一つの態様では、該方法は密な水素選択性膜を多孔質基材上に形成することを含む。本発明の実施は、従来の複合ガス分離モジュールの密なガス選択性膜より薄く、および／またはいっそう均質な密なガス選択性膜を有する複合ガス分離モジュールを生産できる。 （もっと読む）

本発明は、複合ガス分離モジュールおよび複合ガス分離モジュールを製造する方法に関する。本発明はまた、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離する方法に関する。一つの態様において、この複合ガス分離モジュールは多孔性金属基材；中間多孔性金属層、ここで、この中間多孔性金属層は多孔性金属基材の上に存在し；および高密度水素選択膜、ここで、この高密度水素選択膜は中間多孔性金属層の上に存在する；を含む。中間多孔性金属層は、パラジウムおよび第IB族金属を含みうる。例えば、中間多孔性金属層は、パラジウムおよび第IB族金属の交互層を含みうる。
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水素生成反応器を開示する。該水素生成反応器は、水素生成供給原料由来の水素を含有する反応産物を生成するように適合された触媒床を含む、反応チャンバーを有する。該反応チャンバーはまた、触媒床からの反応産物を受け取り、反応産物からの水素を含有する産物流を分離するように適合された、水素選択性、水素透過性ガス分離モジュールを含む。該ガス分離モジュールは、多孔質基材、多孔質基材に位置する中間層、および中間層上に重層する水素選択性膜を含む。中間層は粒子、および中間層に分散されるバインダー金属を含む。開示された反応器を用いた蒸気改質方法も開示される。
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水素生成反応器が開示される。水素生成反応器は、水素生成供給原料から水素を含有する反応生成物を生成するように適合された触媒床を含む反応チャンバーを有する。反応チャンバーはまた、触媒床からの反応生成物を受け入れ、反応生成物から水素含有生成物流を分離するように適合された、水素選択性水素透過性ガス分離モジュールを含む。ガス分離モジュールは、多孔質基材、多孔質基材に位置した中間多孔質層、および中間層上に重層される水素選択性膜を含む。中間多孔質層は、多孔質基材のタンマン温度よりも高いタンマン温度を有する粉体を含む。水蒸気改質方法はまた、開示された反応器を用いて開示される。
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水素生成反応器を開示する。該水素生成反応器は、水素生成供給原料由来の水素を含有する反応産物を生成するように適合された触媒床を含む、反応チャンバーを有する。該反応チャンバーはまた、触媒床からの反応産物を受け取り、反応産物からの水素を含有する産物流を分離するように適合された、水素選択性、水素透過性ガス分離モジュールを含む。該ガス分離モジュールは、多孔質基材、多孔質基材に位置する中間層、および中間層上に重層する水素選択性膜を含む。中間層は粒子、および中間層に分散されるバインダー金属を含む。開示された反応器を用いた蒸気改質プロセスも開示される。
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複合ガス分離モジュールは、多孔質基材;多孔質基材における粒子およびバインダー金属を含む中間層、ここで、バインダー金属は中間層中に均一に分布している;および中間層上に重層される高密度ガス選択性膜を備える。一態様において、中間層は、多孔質基材に近い中間層の表面から多孔質基材から遠い中間層の表面に向かって粒径の勾配を含む。中間層の粒子は、金属粒子、金属酸化物粒子、セラミック粒子、ゼオライト粒子、およびその組合せからなる群より選択される粒子を含み得る。 （もっと読む）

本発明は、複合ガス分離モジュールの製造における欠陥を矯正する方法、および該方法を含むプロセスによって形成される複合ガス分離モジュールに関する。本発明はまた、水素ガス含有ガス流から水素ガスを選択的に分離する方法に関する。複合ガス分離モジュールの製造における欠陥を矯正する方法は、パラジウムを含有する第一の材料を多孔質基材上に堆積させ、それにより、被覆された基材を形成することを含み、ここで、被覆された基材は少なくとも1つの欠陥を含む。次いで、被覆された基材は欠陥に最も近くで選択的に表面活性化でき、それにより、被覆された基材の少なくとも1つの選択的に表面活性化された領域を形成する。次いで、第二の材料を、被覆基材の選択的に表面活性化された領域に優先的に堆積させることができ、それにより欠陥は矯正される。

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