例えば医用撮像用のＸ線検出器として使用するための大面積検出器（３）は、積層を貫通して各信号収集器（１０）と連絡するチャネル（６）を有する複数の交互に積み重ねられたダイノードおよび絶縁層から成るモノリシック増幅装置と組み合わされた放射線感応検出器（８）から構成される。大面積検出器（３）は、１ｍｍ²当たり５０〜６０画素程度の高解像度を達成しながら、１ｍ²またはそれ以上のタイルで形成することができる。
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サファイア体を有する光センサが開示される。サファイア体の中空は、ファブリペローキャビティの表面として使用される表面を画成する。干渉計を使用して、ファブリペローキャビティの長さの変化、およびしたがって例えばセンサが配置された環境の温度または圧力の変化が検出される。 （もっと読む）

写真複写機、スキャナまたは類似物の一部を形成することのできる撮像機は、光源と、上部透光板（２３）と該上部板の下にある画像コレクタユニット（２５）とから成るプラテン（２１）と、画像データプロセッサ（３０）とを有する。画像コレクタユニット（２５）は、電子増倍管チャネルの配列の上に配設された感光シートから成る。上部板（２３）の表面（２４）に置かれた物体から反射した光は、感光シートによって電子に集束され、該電子は電子増倍管チャネルによって増倍されて、上部板上に載置する物体の画像を増幅する。電子増倍管配列の表面積は撮像機の撮像面積と一致し、走査光学を用いずに撮像面積全体にわたって完全な画像を同時に捕捉することが可能になる。さらに、電子増倍管配列の使用は、より低い電力の光源を使用することを可能にする。 （もっと読む）

加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）