【課題】汚染がほとんどない真空チャンバを用いて、所定の機械的特性を備えた層を基板の前面に形成させる薄膜の形成方法及び薄膜の形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の装置によって実行される本発明の方法において、基板（１０）の前面（２０）に遷移層（１２）を形成し、この遷移層（１２）により、基板（１０）の機械的特性と遷移層（１２）上に付着される層システム（１６）の機械的特性とを調和させた。真空チャンバ（１８）内でのスパッタリングプロセス中に、反応生成物（１４）は、少なくとも事実上独占的に遷移層（１２）内に組み込まれる。これにより、真空チャンバ（１０）の他の表面及び基板（１０）の裏面側（３４）が、反応生成物（１４）及び／またはプリカーサで汚染されることが防止される。 （もっと読む）