裏面構造を含んだバックコンタクト太陽電池とその製法が開示されている。裏面はドープ処理されてｎ^＋エミッタを形成し、その後に誘電層で被膜される。裏面の小領域がスクライブ処理され、ｐ型コンタクトが領域に形成される。大きな導電グリッド領域がその誘電層を覆う。この製法はｐ型基板の裏面のｐ型コンタクト面積を最小化し、ｎ型ドープ領域を最大化することで効率を高める。
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埋設コンタクト型太陽電池、埋設コンタクト型太陽電池構成要素、及び埋設コンタクト型太陽電池太陽電池の製造方法であって、複数の埋設コンタクト面の溝内にセルフドーピングコンタクト材料が配置される。溝ドーピング処理とメッキ処理とを組み合わせることで、太陽電池をより単純な方法で経済的に製造できる。
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裏側表面構造を有する裏面電極型太陽電池及びこの太陽電池の作製方法である。裏側の裏面は、表面安定化層、窒化層、拡散バリア及び／又は金属バリアに限定されない少なくとも１つの誘電層を通った小さい電極を有する。誘電層は、好ましくはスクリーン印刷されたものである。大きなグリッド領域が誘電層にめっきされている。方法は、ｐ型電極領域を最小化し、ｐ型基板の裏面にｎ型ドープ領域を最大化することによって、効率を増加させるものを提供する。
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エミッターラップスルー（ＥＷＴ）バックコンタクト型太陽電池の製造方法と、その方法で製造された電池が提供される。前面あるいは背面の平均ドーパント濃度と比較して高い濃度のドーパントが導電バイアに提供され、効率を高める。また、印刷されたドーパントペーストの利用により、導電バイアの形成のために孔の選択的ドーピングが提供される。ドーパントを含んだスピンオングラス基板の利用法も提供される。
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前面のｎ型エミッタ層（１４）を裏面のｎ型オーム接触部（２０）へ接続するｎ型導電性バイア（１８）を創出するための、熱マイグレーションプロセス又はエレクトロマイグレーションプロセス等の勾配駆動溶質移動プロセスを用いて製造されるバックコンタクト型ｐ型半導体太陽電池（１０）の製造方法と、勾配駆動溶質移動プロセス等によって提供される、内蔵ｎ型導電性バイアを有するバックコンタクト型太陽電池の製造方法。

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薄型エミッタラップスルーソーラーセル、および薄型エミッタラップスルーソーラーセルを作成する方法である。セルは好ましくは厚みが２８０ミクロン未満のシリコンウェハ基板を備えている。セルの裏側のｐ型エリアは最小とされることで収集エリアが最大となり、従来のソーラーセルでは必要とされるｐ型エリアのパッシベーションによる応力が緩和されるか排除される。本発明のセルの効率は従来のセルの厚みよりも大幅に薄い厚みでピークとなる。従って、著しく効率を損なうことなく安価で低品質のシリコンの薄型ウェハを使うことができるため、他のソーラーセル構成と比べて大きな費用上の利点をもたらす。基板を通るバイアスは基板の前面および裏面にあるエミッタ層を接続するものであるが、ドーピングされた穴からなるか、あるいは傾斜駆動プロセスによって生じる、好ましくはドーパントを含む溶媒の移動によって形成された固体ドープチャネルからなっている。

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