【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。
【解決手段】１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 （もっと読む）

半導体デバイスが、基板、基板の上に配設される第１の活性層および第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む。二次元の電子ガス層が第１の活性層と第２の活性層との間に生じるように、第１の活性層より大きいバンドギャップを第２の活性層が有する。フラッシュ層が第２の活性層上に配設され、ソース、ゲートおよびドレインコンタクトがこのフラッシュ層上に配設される。
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回路が、入力ドレイン、ソースおよびゲートノードを含む。この回路はさらに、ソース、ドレインおよびゲートを有するＩＩＩ属窒化物デプレッションモードＦＥＴを含み、このデプレッションモードＦＥＴのゲートは、デプレッションモードＦＥＴをそのオン状態に維持する電位に連結されている。加えて、この回路はソース、ドレインおよびゲートを有するエンハンスメントモードＦＥＴを更に含む。デプレッションモードＦＥＴのソースは、エンハンスメントモードＦＥＴのドレインに直列に連結されている。デプレッションモードＦＥＴのドレインは入力ドレインノードとして機能し、エンハンスメントモードＦＥＴのソースは入力ソースノードとして機能し、および、エンハンスメントモードＦＥＴのゲートは入力ゲートノードとして機能する。 （もっと読む）

基板、基板の上に配設される第１の活性層および第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む半導体デバイスが提供される。二次元の電子ガス層が第１の活性層と第２の活性層との間に生じるように、第１の活性層より大きいバンドギャップを第２の活性層が有する。終端層が第２の活性層上に配設されて、ＩｎＧａＮを含む。ソース、ゲートおよびドレインコンタクトがこの終端層上に配設される。
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ショットキー接触構造（１１０，１１２）は、半導体（１０６）の表面の上部に配置される。第１のショットキー接触金属層（１１０）は、前記半導体（１０６）の表面の第１の部分の上部に配置される。第２のショットキー接触金属層（１１２）は、半導体の表面の第２の部分の上部に配置され、前記第１のショットキー接触金属層（１１０）に隣接される。前記第１のショットキー接触金属層（１１０）は、前記第２のショットキー接触金属層（１１２）よりも小さな仕事関数を有する。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体デバイスのための改善されたパッケージを提供すること。
【解決手段】パッケージ化された半導体デバイスはダイ１０５装着用支持体１０４を含み、ダイの底面がこのダイ装着用支持体の最上面に取り付けられ、間隔を置かれた複数の外部導体１０１，１０２，１０３がこの支持体から延び、前記間隔を置かれた外部導体のうちの少なくとも１つがその一方の端部にボンド・ワイヤ用ポスト１１０を有し、このボンド・ワイヤ用ポストと、複数のメサの最上面へのコンタクト領域との間にボンディング・ワイヤ１０８が延びる。 （もっと読む）

【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。
【解決手段】１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 （もっと読む）

【課題】携帯型デバイス用の窒化ガリウムを用いた電源を提供する。
【解決手段】ＡＣ入力およびＤＣ出力を有する変換器を提供する。この変換器は、ＡＣ入力を受け取り、かつ整流器出力を提供する整流器と、前記整流器の出力の両端間に接続された直列接続された電流−磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器と、前記直列接続された磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器の中間点と前記整流器出力の端子との間に接続された直列接続された窒化ガリウム・ダイオードおよび出力電荷蓄積デバイスとを備え、前記変換器は過渡電圧抑制回路を必要としないことを特徴とする。 （もっと読む）