【解決手段】本発明は、基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体と、Ｉ族金属を含む前駆体と、ＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスとを共に供給しながら蒸着させ、単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによれば、従来の方法に比べて、一回の蒸着工程で最終薄膜が形成されるため、工程が簡素化されて経済的になり、製造された薄膜の内部気孔が少なく、均一な表面が形成されるので、太陽電池用吸収層として有用である。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、基板上に太陽電池用光吸収層に使用されるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を経済的でありながらも効率的に形成できる太陽電池用光吸収層の製造方法に関するもので、基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体を有機金属化学気相蒸着法で蒸着させてＩＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ_２−ＶＩ_３化合物薄膜を形成する第１段階；前記ＩＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ_２−ＶＩ_３化合物薄膜上に、Ｉ族金属を含む前駆体を有機金属化学気相蒸着法で蒸着させてＩ族、ＩＩＩ族、ＶＩ族から構成されたＩ＋ＩＩＩ＋ＶＩ族化合物薄膜を形成する第２段階；及び前記Ｉ＋ＩＩＩ＋ＶＩ族化合物薄膜をＶＩ族元素含有ガス雰囲気下で熱処理したり、または、ＶＩ族元素を含む単一前駆体を有機金属化学気相蒸着法で蒸着させてＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を形成する第３段階；を含むことを特徴とする太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。

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本発明は、太陽電池吸収層として用いられるＣｕＩｎＳｅ₂及びＣｕＩｎ_1-xＧａ_xＳｅ₂薄膜を、化学当量比に近い構造を有するように製造する方法に関する。本発明は、基板上に、［Ｍｅ₂Ｉｎ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＩｎＳｅ薄膜を形成させるステップと、前記ＩｎＳｅ薄膜上に、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ＤＭＢ）前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、Ｃｕ₂Ｓｅ薄膜を形成させるステップと、前記Ｃｕ₂Ｓｅ薄膜上に、［Ｍｅ₂Ｉｎ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＣｕＩｎＳｅ₂薄膜を形成させるステップとを含む、太陽電池用薄膜の製造方法を提供する。さらには、前記ＣｕＩｎＳｅ₂薄膜上に、［Ｍｅ₂Ｇａ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＣｕＩｎ_1-xＧａ_xＳｅ₂薄膜を形成させるステップをさらに含んでもよい。 （もっと読む）