【課題】結晶シリコンインゴットの製造方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、鋳型内部にバリア層を配置し、バリア層の上に１つ以上のシリコン種結晶を配置し、シリコン種結晶の上にシリコン原料を入れ、鋳型を加熱してシリコン融液を得て、鋳型を方向性凝固法で冷却することでシリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含む。鋳型は、シリコン原料が完全に溶融し且つシリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで加熱される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池内の各層を形成するプロセスにおいて、太陽電池に対する熱的影響および熱亀裂の発生を抑制する原子層多層構造を備えた太陽電池および太陽電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体構造結合体および少なくとも１つの酸化物で形成される原子層多層構造を含む。半導体構造結合体は少なくとも１つのｐｎ接合を含み、被照面を有する。原子層多層構造は半導体構造結合体の被照面を覆う。特に、原子層多層構造は表面パッシベーション層、透明導電層、さらには反射防止層として機能する。 （もっと読む）

【課題】複合ウエハ構造の製造方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）第１の周縁、接合面、および底面を有するデバイス・ウエハを準備するステップと、（ｂ）前記デバイス・ウエハの前記第１の周縁に沿って前記接合面上に溝を形成するステップであって、余白が、前記溝と前記デバイス・ウエハの前記第１の周縁との間に存在するステップと、（ｃ）上面を有するベース・ウエハを準備するステップと、（ｄ）前記ベース・ウエハの前記上面上へ前記デバイス・ウエハの前記接合面を接合するステップと、（ｅ）前記複合ウエハ構造を完成させるために、前記デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、前記デバイス・ウエハの前記底面を研削および研磨するステップとを含み、前記デバイス・ウエハの前記底面の前記研削および研磨中に、前記溝の先端で誘発される亀裂によって前記余白が破断し、次いで取り除かれること。 （もっと読む）