本発明は、一般式がＡｇ_１−ｘＭ_ｍＭ’Ｑ_２＋ｍで示される、熱電気的な物質に関するものである。ＭはＰｂ，Ｓｎ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａなどの２価の遷移金属とそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、Ｍ’はＢｉ，Ｓｂとそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、ＱはＳｅ，Ｔｅ，Ｓとそれらの組み合わせから選択されるものである。また、８≦ｍ≦２４であり、０．０１≦ｘ≦０．７である。発明の実施例では、この複合物はｎ型半導体の性質を示した。実施例では、ｘは０．１から０．３であり、ｍは１０から１８である。複合物は、Ａｇ，Ｍ，Ｍ’，Ｑの原料を化学式通り反応容器に加え、原料を加熱し、充分な時間溶解し、反応物を冷却する速度を調整して冷却することによって合成した。
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