本発明は、ドーピングにより高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料を製造するための方法に関し、ここでドーピング剤が第一ステップで実質的に電気結晶化により製造され、ドーピング剤が低い酸化電位を有する有機化合物の群から選択され、有機半導体材料が第二ステップにおいてドーピング剤でドープされる。更に、本発明は、上記方法により製造される、高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料に関する。更に、本発明は、上記方法に従い製造される、ドープド有機半導体材料を含んでなる有機ダイオードに関する。
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