半導体ウェハが加工される際、その保護をする保護ディスクは、半導体ウェハに接着するよう構成された接着層と、半導体ウェハが加工される際、それに強度と剛性を与えるために、加工中半導体ウェハを支持するよう構成された、接着層に結合した支持層とを有する。本発明の特徴の一つとして、保護ディスクは弱アルカリ性溶液、または弱酸性溶液に溶性である。別の特徴として、接着層は高分子重合体から構成される。別の特徴として、支持層はポリマーと充てん剤から成る。本発明は、半導体ウェハを１５０μｍ以下に薄化する処理、およびそれ以降に続くストレス除去、ダイ切り出しのためのダイシング枠への移送、などの処理において堅牢な、費用効率の高い、大量、自動化処理を実現する。さらに、本発明は、従来達成可能であった厚みよりもさらに薄い素地を、既存のツール一式や処理を利用して生成することができる。

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