本発明に係るデバイスは、半導体ナノワイヤ（１）と金属接触（５）との間の半導体金属接合によって形成されたショットキー障壁を備える。前記金属接触（５）は、その長さに沿って各ナノワイヤ（１）の周辺領域を少なくとも部分的に囲む。前記ナノワイヤ（２）は、前記半導体金属接合の一部である低濃度ドープ領域を備える。この低濃度ドープ領域は、ナノワイヤセグメント、ナノワイヤの全体又は高濃度ドープナノワイヤコア（３）を備えたコアシェル構造によって形成され、前記低濃度ドープ領域は、シェル（４）に含まれる。前記デバイスは、本発明に係る方法を用いて製造され、かかる方法は、２つの異なる成長モードを使用し、第１のステップは、前記半導体金属接合の形成用の適切なテンプレートを与えながら基板（２）から軸方向に成長させることを備え、第２のステップは、前記低濃度ドープ領域においてドーピングレベルを制御可能に放射状に成長させることを備える。 （もっと読む）

本発明は、互いに逆の導電型を有する半導体材料から製造された第１の領域（１）及び第２の領域（２）により少なくとも部分的に形成され、吸収光から電荷キャリアを発生する光吸収領域（１１）を備えるＰＩＮ接合又はＰＮ接合を備えるフォトダイオードを提供する。ＰＩＮ接合又はＰＮ接合の一部分は、互いに離間して配置され、光吸収領域（１１）において発生される電荷キャリアを回収するように配列された１つ以上のナノワイヤ（７）を備える。ナノワイヤ（７）と前記第１の領域（１）及び前記第２の領域（２）のうち一方の領域との間に規定される低濃度不純物添加半導体材料又は真性半導体材料から製造された少なくとも１つの低濃度不純物領域（１０）により、活性領域（９）の光吸収領域及び／又はアバランシェ増倍領域の個々の必要に合わせた形成が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体ナノワイヤ（２）を含むオプトエレクトロニクス半導体デバイスを提供する。ナノワイヤ（２）は、ナノワイヤコア（３）と、ナノワイヤコア（３）の少なくとも一部の周囲に配置された少なくとも１つのシェル層（４）を含む。ナノワイヤコア（３）とシェル層（４）とは、作動中にキャリヤを生成するまたはキャリヤーを再結合するのための活性領域（７）を提供するｐｎ接合またはｐｉｎ接合を形成する。キャリヤを再結合する中心またはキャリヤを生成する中心として機能するように構成される量子ドット（１０）は活性領域（７）に配置される。量子ドット（１０）とシェル層の（４）の生成のためのテンプレートとしてナノワイヤコア（３）を使用することによって、均一の大きさと均一な分布の量子ドットを得ることができる。基本的に、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、光放出または光の吸収に使用することができる。前者の場合、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、発光ダイオードまたはレーザダイオードであり、後者の場合、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、フォトダイオード、光検知器または太陽電池などの光電デバイスである。
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本発明は、電流輸送チャネルを形成する少なくとも１つの半導体ナノワイヤ（３）と、前記ナノワイヤ（３）の少なくとも一部の周りに配置された１つ以上のシェル層（４）と、前記１つ以上のシェル層（４）に埋め込まれたナノサイズの電荷捕獲中心（１０）と、前記１つ以上のシェル層（４）の少なくとも一部のそれぞれの周りに配置された１つ以上のゲート電極（１４）とを備えるナノ構造メモリデバイスを提供する。好ましくは、前記１つ以上のシェル層（４）は、ワイドバンドギャップ材料又は絶縁体で構成される。前記電荷捕獲中心（１０）は、前記１つ以上のゲート電極を用いることによってチャージされてもよく／書き込まれてもよく、１つ以上の前記電荷捕獲中心（１０）に蓄積された電荷量の変化は、前記ナノワイヤ（３）の導電率を変更する。 （もっと読む）

本発明は、誘電体層（５）によって少なくとも部分的に取り囲まれたナノワイヤ（２）と、誘電体層（５）の少なくとも一部を取り囲むゲート電極（４）とを含むナノ構造のＭＯＳコンデンサを提供する。好ましくは、ナノワイヤ（２）は、基板（１２）から突き出ている。ゲート電極（４）は、第１の予め決められた電圧がゲート電極（４）に印加される場合に、完全に空乏となることが可能なナノワイヤ（２）のゲート部分（７）を画定する。また、そのようなナノ構造のＭＯＳコンデンサを使用することによって、電子回路中に可変の静電容量を供給する方法を提供する。本発明により、増加した静電容量の変調範囲を有するＭＯＳコンデンサを提供することは可能である。先行技術のＭＯＳ静電容量に比べて比較的低い空乏静電容量を有するＭＯＳコンデンサを提供することは、本発明が更なる利点である。
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本発明は、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、第１の半導体ナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）とを含み、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１の縦方向領域（１２１）において電荷キャリア濃度を変更する少なくとも第１の半導体ナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスを提供する。第２のラップゲート電極（１１２）は、第２の縦方向領域（１２２）に配置されるのが好ましい。これにより、調整可能な擬似的な接合（１１４）がナノワイヤ（１０５）の実質的なドーピングなしで達成される。 （もっと読む）

ナノワイヤ回路構造物を提示する。この技術は、ナノワイヤトランジスタ（８、９）と、オープションのナノワイヤコンデンサ（１２）およびナノワイヤ抵抗体（１１）とを含み、２つの相互接続（１、２）だけの２レベルを使用して一体化されている。ナノワイヤ回路構造物中で、リング発振器、サンプル保持回路、比較器を実現することができる。各回路中のナノワイヤトランジスタ接続と回路入力と回路出力とは、２つの相互接続（１、２）の２レベルで提供される。
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本発明は、ダイオード、ＬＥＤおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法（ＣＶＤ）を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるＶ／III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するＶ／III比より実質的に低い。
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本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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本発明は、ナノ構造の発光ダイオード、即ちＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤデバイスは、複数の独立したナノ構造のＬＥＤからなるアレイを含む。各ナノ構造のＬＥＤは、光を生成する活性領域を有する。ナノ構造のデバイスは、複数のリフレクタを更に有し、それぞれが、１つの独立したナノ構造のＬＥＤ（またはナノ構造のＬＥＤのグループ）に結合されている。個々のリフレクタは、独立したナノ構造のＬＥＤそれぞれの活性領域、またはナノ構造のＬＥＤのグループの活性領域に面した凹面を有する。
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