【課題】フレーム辺を金属型材で形成するため、放熱性が極めてよく、新たに金型を製作する必要なく、各種サイズのライトボックス装置を任意に製造でき、また構造が単純で防水効果を有するため、屋内外ともに適用でき、さらに、ライトボックス装置の寸法の拡大に伴い、光源を追加するだけで照度を均一化でき、新たな加工が不要である、ライトボックス装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの光源、ライトボックスフレーム、導光板を含み、ライトボックスフレームが収容部を有し、フレーム辺が金属型材を裁断加工して形成され、前記導光板が前記収容部に収容され、かつ、側面を有すると共に、前記ライトボックスフレームの少なくとも１つのフレーム辺が、導光板の前記側面に隣接して設けられた第１嵌着溝を有し、前記光源を該第１嵌着溝に嵌着することにより、前記光源からの出射光線が前記側面を透過して前記導光板内部に伝達される。 （もっと読む）

【課題】低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、基板１１０に半導体発光構造１４０を成長させ、エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造１４０の間にギャップを形成するステップと、第一エッチング液でＳｉＯ_２パターン層を除去し、半導体発光構造と基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で半導体発光構造１４０をエッチングし、第二エッチング液が、ギャップに注ぎ込まれた後、スペースに流れ込み、半導体発光構造１４０を逆円錐状に形成させるステップと、半導体発光構造１４０に電極を設置するステップと、ギャップに沿って基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い光出力の発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、サファイア基板にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、前記サファイア基板の表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割することで、半導体発光構造の上表面からサファイア基板に延伸する分割溝を形成し、前記ＳｉＯ_２パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記ＳｉＯ_２パターン層を除去し、前記半導体発光構造とサファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして電極プラットフォームを形成し、半導体発光構造に電極を設置するステップと、分割溝に沿ってサファイア基板を切断するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スペースを節約するために厚さを低減し、熱放散問題に対処する薄膜基板を提供する。
【解決手段】薄膜基板４０は、第１のパターン付の第１の導電膜４１１，４１２と、第２のパターン付の第２の導電膜４３１，４３２と、複数の開口４２２を有する、第１のパターン付の第１の導電膜４１１，４１２及び第２のパターン付の第２の導電膜４３１，４３２の間に設けられた絶縁フィルム４２１と、を備え、第１の導電膜４１１，４１２及び第２の導電膜４３１，４３２は開口を通して電気接続される。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性能を有する発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法は、複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、前記基体層の上に複数の発光ダイオードチップを貼り合わせ、各々の発光ダイオードチップを対応する前記第一電極及び前記第二電極に電気的に接続させるステップと、前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハレベルパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のウエハレベルパッケージの製造方法は、第一基板を提供するステップと、第一基板上に半導体層を形成するステップと、第一基板上に互いに離間する複数の発光ユニットを形成するステップと、各々の発光ユニットの正電極上及び負電極上にバンプを形成するステップと、第一基板上に第一封止層を形成して、複数の発光ユニットを封止するステップと、第一封止層の第一基板から離れた第一表面をグラインディングするステップと、パッケージ基板を第一封止層の第一表面に接着するステップと、第一基板を除去するステップと、第一封止層の第一表面に対向する第二表面に第二封止層を形成するステップと、複数の切断線に沿って、パッケージ基板、第一封止層及び第二封止層からなる積層体を切断して、複数の半導体発光ユニットパッケージ構造を形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオード収納用パッケージは、互いに対向する第一表面及び第二表面を有する基板と、前記基板を貫いて前記第一表面及び前記第二表面を導通する複数の金属柱と、前記基板の第一表面に被着形成され、前記金属柱に電気接続する金属層と、前記金属層上に被着形成され、前記金属層の第一電極領域及び第二電極領域を露出するガラス反射層と、前記ガラス反射層上に載置固定され且つ前記第一電極領域及び前記第二電極領域に電気接続する少なくとも１つの発光ダイオードと、前記発光ダイオードを封止する透明樹脂と、を備え、前記金属層の第一電極領域及び第二電極領域以外の部分は、全て前記ガラス反射層に覆われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化合物半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化合物半導体素子収納用パッケージは、互いに対向する第一表面及び第二表面を有する基板と、基板を貫いてその第一表面及び第二表面を導通する複数の金属柱と、基板の第一表面に被着形成される金属層と、金属層上に積層され、機能領域を画定し、前記機能領域の中央部に貫通穴を有する反射枠と、反射枠の内表面及び機能領域上に被着されて、金属柱に電気接続する前記金属層の第一電極領域及び第二電極領域を露出するガラス反射層と、機能領域のガラス反射層上に載置固定され且つ第一電極領域及び第二電極領域に電気接続する少なくとも１つの化合物半導体素子と、化合物半導体素子を封止する透明樹脂と、を備え、ガラス反射層の表面の孔の直径は、基板及び反射枠の表面の孔の直径より小さい。 （もっと読む）

【課題】大部分の光線が直接的に出射されて発光効率を向上させるエッジライト式発光素子のパッケージハウジング及びパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】エッジライト式発光素子のパッケージハウジング２０は、基板２２及び側壁２７を備える。前記側壁２７は、前記基板２２と一緒にカップ状の収容空間を形成し、前記側壁の内表面は反射性を有し、且つ前記側壁の内部から外部に向かって傾斜して１４０度〜１５０度の夾角を形成し、前記側壁の開口端には、出射面が形成され、前記出射面の面積は、前記収容空間の底の面積の１．５〜２倍である。 （もっと読む）

【課題】 電子が漏れる現象を低減できるうえ、応力解放の欠陥を回避できる発光素子を提案する必要がある。
【解決手段】 活性発光層２１２と、ｎ型窒化ガリウム層２０２と、ｐ型窒化ガリウム層と２２２、エネルギーギャップが異なるとともに、過分の電子が活性発光層２１２に漏れるのを阻止するためのエネルギー障壁が高い電子障壁層２３０として、活性発光層２１２上に周期性をもって繰り返して積層されている二種類の三・五族半導体層２３２，２４２；２３４，２４４とを備えた複合型電子障壁層２３０を備えた発光素子である。 （もっと読む）