【課題】ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。
【解決手段】複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。これら複数のＭＲ素子を、サブＡＰ２層１３の磁化方向を磁場方向に向けるのに十分な方向と大きさを有する磁場中に配置する。そののち、磁場の大きさを零になるまで減少させ、磁場の大きさが零になったときに、ＭＲ素子を熱処理する。それによって各サブＡＰ１層１５の磁化方向を当該ＭＲ素子の長手方向に沿うように固定する。 （もっと読む）

【課題】 臨界反転電流密度Ｊ_COを最小限に抑えつつ、熱安定性、書き込み電圧、読み出し電圧、および保磁力Ｈｃが６４ＭｂのＳＴＴ-ＲＡＭの設計要求を満たすＭＴＪナノピラー構造を得る。
【解決手段】 自然酸化法を用いて、酸素界面活性層を含むＭｇＯトンネルバリア層を形成する。フリー層４０は、ＦＬ１層５０／ＮＣＣ層５１／ＦＬ２層５２なる構造を有する。ＮＣＣ層５１は、ＳｉＯマトリクス５１ｂ中に形成されたＲＭ粒子（ＲはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭはＳｉ、Ａｌ等の金属）からなるナノ導電チャネル５１ａを含む。ＮＣＣ層５１の厚さは、ＲＭ粒子の最小粒径前後の厚さに保たれ、ＦＬ１層５０とＦＬ２層５２との間の距離を埋めるのに十分な直径を有する。 （もっと読む）

【課題】 大電流が必要とされる磁気メモリ素子への情報書込みに際し、ゲート電圧ストレスを抑制し、セルトランジスタの寿命の短縮を防止する。
【解決手段】 情報“１”または“０”を書き込む際に、一回毎に１つのセルを選択する。例えばメモリセル１００に情報を書き込む場合、このメモリセル１００のセルトランジスタ８００のゲートに接続されたワード線２００の電圧のみを上昇させると共に、その書込対象のメモリセル１００が属する列に沿ったＢＬＣ線４０またはＢＬＴ線５０の電圧を選択的に複数の異なるレベルへと上昇させる。これにより、メモリセル１００に情報“１”または“０”が書き込まれる。その際、第１および第２のトランジスタ５１０，５１１、プリチャージ電圧源５０５および基準電圧源５０６よりなるプリチャージ回路５０４を用いて、書込対象以外のメモリセルのセルトランジスタに加わる電圧ストレスを抑制する。 （もっと読む）

【解決手段】ゲート電圧昇圧回路は、スピントルクＭＲＡＭセルの選択スイッチングＭＯＳトランジスタのゲートを昇圧し、スピントルクＭＲＡＭセルのＭＴＪ素子を介したプログラミング電流の減少を抑制する。スピントルクＭＲＡＭセルアレイは、ＭＴＪ素子と、選択スイッチング素子とを含むスピントルクＭＲＡＭセルによって構成される。ローカルワード線は、複数のスピントルクＭＲＡＭセルの１行に対応づけられるとともに、そのＭＲＡＭセルの行における選択スイッチング素子のゲート端子に接続され、活性化および非活性化を制御する。１つのゲート電圧昇圧回路は、対応づけられたグローバルワード線と、対応づけられたローカルワード線との間に配置される。ゲート電圧昇圧回路は、選択されたスピントルクＭＲＡＭセルのＭＴＪ素子に論理“１”を書き込む間に、選択されたスイッチング素子のゲートの電圧を昇圧する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
平面的なフリー層およびピンド層を備えたＧＭＲまたはＴＭＲセンサ素子の平面アレイを、微小な磁化粒子の存在を検出するセンサの基本部分として用いる。具体的には、このセンサを用いて、基板に結合した生物学的分子に結合した磁化粒子の存在を検出する。分子の上の磁化粒子は、粒子の漂遊磁界とセンサの磁気構成との相互作用の結果としてセンサによって検出される。センサ、またはセンサアレイの上に軟磁性材料からなり一平面に沿って延びる層を形成することによって、微小粒子の磁化に用いる外部磁界を、この微小粒子からの漂遊磁界を妨げないように、センサ面に対して垂直な方向に自己整合的に揃える。 （もっと読む）

【課題】ギアホイールの回転位置を、それが回転しているか否かにかかわらず決定するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明の重要な特徴は、磁気角度センサが採用されていることである。そのセンサは、４つのＭＲデバイスが正方形状に配置されてなるブリッジ構造を有する。ピンドリファレンス層の方向は、４つの全てのデバイスにおいて同一であり、４つのＭＲデバイスが形成する正方形の対角線に沿った斜め方向となっている。本発明のデバイスの製造においては、単一のウェハプロセスが用いられる。 （もっと読む）

【課題】高い感度もしくは高い信号出力を揺するＡＭＲ回転センサを提供する。
【解決手段】このＡＭＲ回転センサは、高い感度もしくは高い信号出力を犠牲にすることなく、デバイスの簡便な製造を可能としている。このＡＭＲ回転センサは、ホイートストンブリッジにおける４つのセンサ素子を構成するＡＭＲストライプの外側に、独立したセンサ素子を設けることで実現される。４つのセンサ素子は、バイアス磁界を形成する永久磁石の近くに設けられる。バイアス磁界は、ギアホイールが回転してギア歯およびギャップが交互に回転センサを通り過ぎるときに強度が上昇および効果を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１１は、下部電極１０の側から、下部積層体１１１と上部積層体１１２とを順に備える。下部積層体１１１は、シード層５１、リファレンス層３３、トンネルバリア層３４を順に含むものである。上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。リファレンス層３３は、非磁性金属からなる挿入層３３Ｃと、磁性層３３Ａとから構成される２層構造を有する。磁性層３３Ａは、積層面内における磁化容易軸（Ｘ軸方向）に沿って固定された磁化方向を有する自己ピンド層である。フリー層４０は、下部強磁性層３５と、ＮＣＣ層３６と、上部強磁性層３７とが順に積層された複合体である。 （もっと読む）

【課題】 強磁性材料を含有する歯車の回転速度を高精度に測定することが可能な歯車回転速度の測定方法および歯車回転速度検出器を得る。
【解決手段】 ＭＲセンサアッセンブリ３０を、回転する歯車のギア歯１４に近接して配置する。ＭＲセンサアッセンブリ３０は、二つの永久磁石３３Ａ，３３Ｂと、永久磁石３３Ａ，３３Ｂによって生じた零磁界領域内に配設されたＭＲセンサ３２とを含む。ＭＲセンサ３２は、複数のＭＲ素子（例えば、４個）を単一チップ化して構成される。これらの４つのＭＲ素子は、それぞれ２つのＭＲ素子を含む第１，第２のグループからなるＭＲホイートストンブリッジを構成する。第１および第２のグループを、互いに異なる磁気環境の下に配置する。このＭＲホイートストンブリッジの２つの出力端から取り出される差分信号に基づき、ギア歯１４の移動（歯車の回転）速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】再生および記録の効率性を高めるスピンＲＡＭ構造を提供する。
【解決手段】スピン注入ＭＲＡＭ５０は、上部ＣＰＰセル８０と下部ＭＴＪセル６０との間に導電性スペーサ７０をそれぞれ有する２つのサブセル５０を備える。各ビットセルの２つの導電性スペーサ７０は、トランジスタにより結合される。トランジスタは、書込ワード線により制御される。各ビットセルの２つのＣＰＰセル８０は異なる抵抗状態を有し、各サブセル８０のＭＴＪセル６０とＣＰＰセル８０とは異なる抵抗状態を有する。ＭＴＪフリー層６７は、ＣＰＰフリー層が発揮する大きな反磁場に起因して、ＣＰＰフリー層の反転に応じて回転する。同一のビットセルの内部の第２のＭＴＪをリファレンスとすることにより、高速で信頼性の高い再生動作を可能とする改善された回路構造が開示される。 （もっと読む）