電子デバイス（４０）は、ハウジング基部（５）の上に配置される。ハウジング蓋（６０）は、上記基部および上記その電子デバイスの少なくとも一部の上においてオーバーモールドされる。上記電子デバイスのインターフェースは（５０）、第２の電子デバイスに結合するために露出されたままの状態である。上記ハウジング基部および上記ハウジング蓋は、上記電子デバイスを部分的に覆うハウジングを形成する。上記電子デバイスは、薄壁半導体デバイスであり得る。
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