【課題】長又は短波長光子に対し透過性であり、シリコンウェハ（６）又はチップのようなシリコンの光子感知層の裏側に取り付けられた、低抵抗率即ち電気伝導性のシリコン層の組み合わせを提供する。
【解決手段】ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。シリコンウィンドウは、光子が、前側にプリントされた回路から妨害されることなく、裏側からデバイスを照射できるように、感光シリコンウェハ又はチップの裏側（１０）に設けられる。電荷キャリアの高抵抗率感光シリコン容積を完全に空乏化するに十分な電圧が、低抵抗率裏側ウィンドウと、デバイスのパターン付けされた前側との間に掛けられる。 （もっと読む）