本発明は低複雑度３次元メッシュ圧縮装置及び方法に関し、開示された圧縮装置は、該３次元メッシュモデルのデータを分析して頂点情報、３次元メッシュモデルの特性を表す属性情報及び３次元メッシュモデルを構成する頂点間の連結情報を分離するデータ分析部と、頂点情報、属性情報及び連結情報を用いて量子化された頂点情報、属性情報及び連結情報を生成するメッシュモデル量子化部と、量子化された連結情報に応じて３次元メッシュモデルの連続した連結情報の量子化値を用いてｃｉｒｃｕｌａｒ基盤の差分パルスコード変調予測を行うデータ変調部と、量子化された頂点情報、属性情報及び前記差分パルスコード変調された連結情報を符号化したデータを出力する符号化部とを含み、従来技術と比較すると、３次元メッシュモデルに対するデータ圧縮の複雑度を改善し、圧縮率を向上させ、更に、圧縮の複雑度を改善することによって、圧縮された３次元モデルを迅速かつ正確に復元させることができるので、圧縮データの復元効率も向上させるという利点がある。
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本発明による光結晶の製造方法は、低屈折率物質からなる周期的な3次元構造を有する型板の露出された部位に高屈折率の物質を均一にコーティングし、これに隣接する空気との屈折率または誘電率の差異をさらに大きくすることで、優れた特性の光バンドギャップを有する3次元構造の光結晶を形成する。この際、前記3次元構造体はレイヤー・バイ・レイヤー法によって形成されることができる。 （もっと読む）

本発明は、レベルシフト回路に関する。レベルシフト回路は、入力ポートからの入力信号がゲートを介して印加される、第１極性を有する第１トランジスタと、正の電源と負の電源との間で前記第１トランジスタと直列接続された、第１極性とは反対極性である第２極性を有する第２トランジスタとを含み、前記第１トランジスタと第２トランジスタとの接続ノードが出力ポートであるインバータと、前記第１トランジスタのゲートと前記第２トランジスタのゲートとの間に接続されたキャパシタと、クロック信号と前記インバータの出力ポート信号を利用して、前記第２トランジスタの正確なスイッチング動作時点によって前記第２トランジスタのゲートに印加される電圧を正確に調整する電圧調整手段とを含んでいる。比較的小型で安定的かつ高速な動作が可能であるとともに、低電力消費を実現することができる。
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紫外線を使用せずに、プレチルト角と方位角を調整することができる配向膜を有する液晶表示（ＬＣＤ）装置、及びＬＣＤ装置の製造方法が提供される。互いに対向する薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルタ基板と、前記基板の間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板上に第１及び第２配向ドメインを定義するパターンを有する第１配向膜と、カラーフィルタ基板上に形成された第２配向膜とを含む。
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【課題】均一な輝度の映像を表示するようにしたデータ駆動回路とこれを利用した発光表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】データ線のそれぞれより所定の電流が流れるように制御する複数の電流シンク部と、前記所定の電流が流れる時生成される補償電圧を利用して階調電圧の電圧値を再設定する複数の電圧生成部と、外部から供給されるデータのビット値に対応して前記階調電圧の中のいずれか一つの階調電圧をデータ信号として選択する複数のデジタルアナログ変換器と、前記データ信号を前記データ線に供給するための複数のスイッチング部とを備える。 （もっと読む）

本発明は、３次元メッシュ情報の符号化及び復号化に関し、具体的には、３次元メッシュモデル（オリジナルモデル）に対する３次元メッシュ情報の符号化過程で頂点及び面のようなオリジナルモデルの要素順序が変更される点を考慮してこれらの要素順序情報を別途に符号化／復号化する装置及び方法に関する。本発明に係る３次元メッシュ情報の符号化方法は、３次元メッシュ情報を符号化し、符号化されたビットストリーム（encoded bit stream）を出力する段階と、前記３次元メッシュ情報に含まれる少なくとも１つ以上の要素各々に対するオリジナルモデル内の順序情報を計算する段階と、前記要素順序情報を符号化する段階と、前記ビットストリームに対するパケットを生成し、且つ前記符号化された要素順序情報を前記パケット内に挿入する段階と、を含む。
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本発明は高分子薄膜内に自発形成されたＮｉ_１−ＸＦｅ_Ｘナノ結晶体を利用した双安定体層を有し、ソースとドレイン電極がない新しい双安定性記憶素子及びその製造方法に関する。従来のフラッシュメモリ素子のナノ結晶体の形成過程より非常に簡単にナノ結晶体を形成することができる。全体的に均一な分布を有する結晶体が高分子層で取り囲まれ結晶体の凝集現象なくナノ結晶体の大きさや密度を制御することができる。従来のナノフローティングゲートを有するフラッシュメモリ素子より電気的また化学的に安定性を有する効率的低費用の不揮発性双安定性記憶素子を提供することができる。また、本発明による不揮発性双安定性記憶素子はソース及びドレイン電極の制作過程が必要ないため費用及び時間を節減することができる効果がある。
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本発明は、３次元メッシュ情報のテクスチャ座標符号化／復号化に関し、具体的には、効果的なテクスチャマッピングのために３次元メッシュ情報内のテクスチャ座標の無損失復元が可能な符号化／復号化に関する。本発明に係る３次元メッシュ情報内のテクスチャ座標を符号化する方法は、前記テクスチャ座標の量子化のための適応的量子化ステップサイズを設定するステップと、前記適応的量子化ステップサイズを用いて前記テクスチャ座標を量子化するステップと、前記量子化されたテクスチャ座標を符号化するステップと、を含む。本発明において、前記適応的量子化ステップサイズは、前記テクスチャイメージサイズの逆数値で設定したり、前記テクスチャ座標を用いて設定することを特徴とする。
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【課題】本発明は、重合体薄膜中に自発形成された金属又は金属酸化物のナノ結晶体を用いた高効率かつ低費用のナノフローティングゲートを有する、フラッシュメモリ素子及びその製造方法に関する
【解決手段】
本発明は、従来のフラッシュメモリ素子のナノ結晶体の形成過程と比較し非常に簡便にナノ結晶体を形成することを可能にする。全体的に均一な分布を有する結晶体であるため、重合体層中に結晶体の凝集現象を伴わずにナノ結晶体の大きさや密度を制御することが可能となる。更に本発明は、従来のナノフローティングゲートと比較し電気的または化学的に安全性を有するナノフローティングゲートを用いることにより、高効率かつ低費用のナノフローティングゲートを有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）