説明

フォスター−ミラー,インコーポレーテッドにより出願された特許

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電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも1つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも1対の電極、及び少なくとも1対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは2つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ(例えば、バイアス電圧の印加により)除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNFET)、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。
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