説明

フォン アルデンヌ アンラジェンテクニック ゲーエムベーハーにより出願された特許

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円筒状マグネトロンは、高電流レベルおよび高電圧レベルで動作することができ、中央部においてだけでなく端部においても自浄式のターゲット管を有している。ターゲット管の端部をスパッタすることによって、実質的に、端部での凝縮物およびこれにともなうアーク放電の集積が取り除かれ、修理の必要性が少なく信頼性が高いマグネトロンおよびより高い一貫性を備えた被覆物を生成するマグネトロンがもたらされる。低スパッタ率の鍔は、ターンアラウンド領域でターゲット管に取り付けられている。
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