本発明は、半導体層を備えるアノードを含む直接及び改質メタノール型燃料電池に関する。半導体層は、好ましくはシリコン又は炭化シリコンであり、ＴｉＯ₂層で覆われる。金などの不活性金属の層上に随意に塗布された好ましくは白金である開放金属表面層は、隋意にグリッドの形態でＴｉＯ₂層の上に堆積させられる。このデバイスのＴｉＯ₂表面において、光照射の存在下又は非存在下で生成した活性ＯＨ種は、ルテニウムの存在を不要にすることが見いだされた。さらに、研究は意外にも、ＴｉＯ₂の表面上の電極により印加される電場は利点をもたらすのに必要ではないと思われることを示している。本発明は、特にマイクロ燃料電池に適していると考えられる。 （もっと読む）

電気化学的装置は、（ａ）半導体がシリコン又は炭化ケイ素でありかつ１〜１０００μｍの厚さを有する半導体層と、（ｂ）ＭＴｉＯ₃になる量までのアルカリ土類酸化物ＭＯを含むことができかつ５ｎｍ〜１μｍの厚さを有する半導体層上のＴｉＯ₂層と、（ｃ）ＴｉＯ₂層に電界を印加することができるように配置された該ＴｉＯ₂層上の不活性金属グリッドと、（ｄ）半導体層上のオーム接触部とを含む。 （もっと読む）