説明

プサン ナショナル ユニバーシティー インダストリー−ユニバーシティー コーオペレイション ファンデーションにより出願された特許

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本発明は、単結晶ワイヤおよびその製造方法を開示する。この方法は、金、銅、銀、アルミニウムおよびニッケルよりなる群から選択された少なくとも1種の金属を成長坩堝に収容させる段階と、成長坩堝に収容された金属を加熱して溶融させる段階と、金属結晶をシードとして用いてチョコラルスキまたはブリッジマン方法によって単結晶を成長させる段階と、育成された単結晶を放電加工を用いて切断する段階と、切断された前記単結晶を線材に形成させる段階とを含んでなる。本方法において、前記育成された金属単結晶は放電加工によって円形欠片に形成し、前記欠片はワイヤカット放電加工によって単結晶ワイヤに形成する。前記単結晶ワイヤは、指輪、パンダント、またはオーディオと映像機器間を連結する高品位ケーブル内部の線材として活用される。また、放電加工によって円形欠片に形成された単結晶は、基板および蒸着用ターゲットとして用いられる。 (もっと読む)


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