【課題】ＪＦＥＴが形成されるセル領域とダイオード形成領域との間の絶縁耐圧を向上でき、耐圧の最適設計が行える構造のＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。これにより、トレンチ内に酸化膜を配置して素子分離を行う場合と比べて、素子分離用の酸化膜が絶縁破壊されることが無いため、ＪＦＥＴが形成されるセル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２との間の絶縁耐圧を向上できる。このため、素子分離に酸化膜を用いる場合と比べて耐圧の最適設計を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップ及び電子部品を備える２枚の基板を有するパワーエレクトロニックパッケージの熱放射性能を向上すること。
【解決手段】第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板の間には、複数の半導体チップおよび電子部品が配設される。第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々の電気導体層は、機械的および電気的に半導体チップおよび電子部品と接続される。第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々は、相互に結合される複数の隆起領域、すなわちポストをさらに含む。隆起領域、すなわちポストの数、配置、および各々の隆起領域、すなわちポストの形状は、第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板の間に機械的分離をもたらすように調整される。 （もっと読む）

【課題】複数の電子部品を備える２枚の基板を有するパワーエレクトロニックパッケージの熱放射性能を向上するとともに、電子部品へ印加される応力を低減すること
【解決手段】パワーエレクトロニックパッケージは、第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板と、第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板の各々に実装された複数の電子構成部品を含む。第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板は、複数のボンド領域において互いに結合され、それにより、第１および第２の高熱伝導率絶縁非平面基板間の機械的な分離が、ボンド領域の数、配列、形状および材料によって制御される。機械的分離は、電子構成部品において正味の軸方向に向けられた圧縮力を付与する。 （もっと読む）