【課題】
【解決手段】高速で精密なレーザによる物質加工方法およびシステムが提供され、ターゲット物質の相対運動と、この物質を加工するパルスレーザ出力が同期される。このレーザによるシステムは、レーザパルスセットを生成するパルスレーザ源と、レーザ源の後段でレーザパルスセットからパルスのサブセットを制御可能に選択するレーザ出力制御部とを具え、パルスレーザ出力を得る。このレーザによるシステムはさらに、前記パルスレーザ出力をターゲット物質の相対運動と同期させる機構を具える。ビームデリバリおよびフォーカスシステムが、この同期されたパルスレーザ出力の少なくとも一部を、レーザ物質加工出力としてターゲット物質に送出して、ターゲット物質を加工する。位置決めサブシステムが、パルスレーザ出力に対してターゲット物質を移動する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】精密エネルギ制御用のレーザによる物質加工方法が提供され、バルクアッテネータは、ＲＦドライバ出力により切り替えられ、ＲＦ出力全体を大幅に低くし、パルスごとのレーザエネルギを生成する。アッテネータの値により、実現可能なエネルギの範囲、すなわちｐｊまたはｐｊの端数を決定する。１以上のアッテネータおよびスイッチは、複数のエネルギ範囲を実現するために利用できる。バルクアッテネータが切り替えられた後に、レーザエネルギは大幅に減らされ、ＲＦドライバは、ＳＮＲが非常によいＲＦパワーがほぼ最大の状態で再び動作できる。また、ＤＡＣからの入力電圧は非常に高く、ＳＮＲが小さいためにノイズが多いダイナミックレンジの最低位ではない。この方法およびシステムは、高いＤＡＣ入力電圧とＲＦドライバの高いＳＮＲにより、拡大されたダイナミックレンジ、優れた減衰（実行可能な低いエネルギ）、優れた精度、および安定性を提供する。 （もっと読む）

特に半導体ウェハやデバイス用の、レーザソフトマーキング方法およびシステムが提供される。ウェハ上にソフトマークを形成すべく半導体ウェハをマーキングするレーザマーキングシステムが提供される。このシステムは、１以上のレーザパルスを生成するレーザサブシステムと、当該レーザサブシステムに機能的に接続された制御部とを具える。この制御部は、前記１以上のレーザパルスのレーザパルス幅を設定し、形成されるソフトマークの深度に作用する１以上の設定されたパルス幅の１以上のレーザ出力パルスを選択的に供給する。前記マーク深度は、前記１以上のパルス幅から実質的に独立している。前記制御部はさらに、前記１以上の出力パルスのパルスエネルギを設定して、合計出力エネルギが前記ソフトマークを形成する許容加工エネルギ範囲内に設定された１以上の出力パルスを選択的に供給する。このシステムはさらに、前記１以上の設定されたパルス幅と設定された合計出力エネルギを有する前記１以上の出力パルスを、ウェハ上の領域にこの領域内のエネルギ密度が前記１以上の設定されたパルス幅と設定された合計パルスエネルギで特定されウェハ材料が変化してこれによりマーク深度が所定の範囲内のソフトマークが形成されるように供給する光学サブシステムを具えるビーム供給システムを具える。 （もっと読む）