【課題】３次元積層ＩＣデバイスにおいて、相互接続領域のコンタクトレベルのスタックへの電気接続形成工程を簡略化する製造方法を提供する。
【解決手段】各コンタクトレベルは導電層と絶縁層とを有する。コンタクト開口を作り出すために、第１のコンタクトレベルを露出させるように上部層の一部が除去される。Ｎ個のマスクを用いて、最大２^Ｎ個のコンタクトレベルまでコンタクト開口がエッチングされる。各マスクは、コンタクト開口のうちの実効的に半数をエッチングするために使用される。Ｎが３であるとき、第１のマスクにより１つのコンタクトレベルがエッチングされ、第２のマスクにより２つのコンタクトレベルがエッチングされ、第３のマスクにより４つのコンタクトレベルがエッチングされる。コンタクト開口の側壁に誘電体層が形成され得る。コンタクト開口内に導電体が形成され、前記誘電体層が該導電体を前記側壁から電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】相変化材料に中間抵抗値を書き込むことを可能にして多値相変化メモリを実現する。
【解決手段】メモリは、第１側面と、第２側面と、上記第１側面に結合された第１線とを有する相変化素子を含む。上記メモリは、上記素子の第２側面に結合されたアクセス部と、上記アクセス部に結合され、上記アクセス部を制御するための第２線とを含む。上記メモリは、上記第１線を第１電圧にプリチャージすると共に、２を超える数の各状態の選択された１つの状態に上記素子をプログラムするために、上記アクセス部を通して電流パルスが上記素子に生成されるように、上記第２線に電圧パルスを印加するための回路を含む。上記電圧パルスは、上記選択された状態に応じた大きさの振幅を有する。 （もっと読む）