マイクロ構造（１００）を作製するための方法が提案される。この方法は、主面を有するシリコン基板（１０２）を設けるステップで始まる。次に、主面からシリコン基板の中へ延びる多孔質シリコン層（１０３）が形成される。この方法は、多孔質シリコン層を選択的にエッチングすることによって継続し、多孔質シリコンの突出マイクロ素子（１１２）のセットを得る。各突出マイクロ素子は、シリコン基板（１０６）の残りの部分から突き出し、それによって、対応する外面を露出させる。次に、突出マイクロ素子を処理して、対応する導電性（１１５）または絶縁性（１１５’）マイクロ素子のセットを得る。各導電性または絶縁性マイクロ素子は、（対応する突出素子の中へ外面から延びる）多孔質シリコンの少なくとも主要部分を多孔質金属またはセラミックスにそれぞれ変換することによって得られる。 （もっと読む）

電子デバイスを接触させるための相互接続要素（１６０；１６０’）の製造方法を提案する。この製造方法は第１基板（１０５）の主面（１１０）上に複数のリード（１３０）を形成する工程で始まる。各リードは第１端部（１３０ａ）と第２端部（１３０ｂ）とを有する。各リードの第２端部は第２基板（１４０）に結合される。次に、第１基板と第２基板との間でリード（１３０’）が伸びるように第２基板と第１基板とを離して間隔をあける。本方法はまた、主面上のリードの付着力を制御するためにリードを形成する前に主面を処理する工程を含む。
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複数の接点素子を有する少なくとも一つの電子装置と接触するためのシステム（１００）を提案する。本システムは、主要面（１０５ｍ）と、該主要面から突出する複数の接触端子（１１０）とを有する基板（１０５）を含み、ここでは、各接触端子は、高分子材料の芯（１２５）と該芯を囲む導電性材料の被覆（１１５、１２０、１３０、１３５）とを含み、該被覆は主要面から離れて配置された作用部（２１０ｂｓ、４１０ｅ、４２０ｖ）を有し、該作用部は、当該接点素子と、主要面と作用部との間に延伸する側面部（２１０１、４１０１、４２０１）とを電気的に接続する。提案された構造において、側面部は主要面に対し４５°〜７５°の角度をなす。

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