【課題】基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法を使用する。
【解決手段】この厚さは、光子が衝突したときに当該構造体により放出される二つの光電子種、または他の原子特異的な特徴的電子種の強度を測定することによって決定されてよい。層の厚さに依存する予測強度関数が、各光電子種について決定される。二つの予測強度関数の比が定式化され、構造体の層の厚さを決定するために、この比が反復される。一実施形態に従えば、当該層の厚さを決定するために、一つの層からの二つの光電子種が測定されてよい。もう一つの実施形態に従えば、層の厚さを決定するために、異なる層または基板からの二つの光電子種が測定されてよい。 （もっと読む）

本発明の１つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】薄い膜又は極薄の膜に堆積される１つ又は複数の元素の深さ分布情報を抽出する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】薄膜内の元素の分布プロフィールを判断する方法。本方法は、第１の薄膜に堆積した元素の電子エネルギを励起する段階、電子エネルギに関連する第１のスペクトルを取得する段階、及び第１のスペクトルから背景スペクトルを除去する段階を含む。背景値を除去すると、処理スペクトルが生成される。本方法は、更に、第１の薄膜に同等の薄膜内の元素に対する既知の模擬分布プロフィールを備えた模擬スペクトルに処理スペクトルを適合させる段階を含む。第１の薄膜内の元素に対する分布プロフィールは、模擬スペクトルの組から選択された模擬スペクトルに処理スペクトルを適合させるこの段階に基づいて取得される。 （もっと読む）

本発明の一実施形態に従えば、基板上の単層もしくは多層構造体における１以上の層の厚さを決定するために、光電子分光法が使用される。この厚さは、光子が衝突したときに当該構造体により放出される二つの光電子種、または他の原子特異的な特徴的電子種の強度を測定することによって決定されてよい。層の厚さに依存する予測強度関数が、各光電子種について決定される。二つの予測強度関数の比が定式化され、構造体の層の厚さを決定するために、この比が反復される。一実施形態に従えば、当該層の厚さを決定するために、一つの層からの二つの光電子種が測定されてよい。もう一つの実施形態に従えば、層の厚さを決定するために、異なる層または基板からの二つの光電子種が測定されてよい。 （もっと読む）

本発明の１つの実施形態によれば、計器からのデータを分析するための方法が開示される。計器によって生成された生データは、ユーザによって生成された構成データと共に、コーリング・モデル内にパッケージングされる。生データは、たとえば、光電子分光法データを分析した場合の特定の運動エネルギーを有するカウントを含むことができる。構成データは、測定されている構造体の組成及び構成に基づいてユーザによって選択される幾つかのパラメータを含むことができる。コーリング・モデルは、計器と、所望の結果をユーザに戻すためのアルゴリズムを生成するためのエンジンとの間のインターフェースとして役立つことができる。エンジンは、次に、アルゴリズム、並びにユーザによって指定された結果を生成し、コーリング・モデルはその結果をユーザに戻す。これは、既知のアルゴリズム及び関数を用いて、特定の被測定試料及び構造体に対して特定のアルゴリズム及び結果を生成することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する方法及び装置、特に、半導体基板の処理に用いるための計測ツールを提供する。
【解決手段】本発明の１つの態様により、半導体基板を処理するための半導体基板処理装置及び方法が提供される。本方法は、表面と各形態が第１の座標系の第１のそれぞれの点でこの表面上に位置決めされたこの表面上の複数の形態とを有する半導体基板を準備する段階と、第２の座標系の第２のそれぞれの点で各形態の位置をプロットする段階と、第１及び第２の座標系の間の変換を発生させる段階とを含むことができる。変換を発生させる段階は、第１及び第２の座標系の間のオフセットを計算する段階する段階を含むことができる。オフセットを計算する段階は、第１の座標系の基準点と第２の座標系の基準点の間のオフセット距離を計算する段階、及び第１の座標系の軸線と第２の座標系の軸線の間のオフセット角度を計算する段階を含むことができる。 （もっと読む）