【解決手段】基板と、基板上に設けられ直接形成された中間層と、遷移領域と、遷移領域の延長部分として設けられ形成されたＩＩ−ＶＩ族のバルク結晶材料とを含む構造が開示されている。遷移領域は、下層の基板からバルク結晶へ構造を変化させるために働く。製造方法において、同様の技術が、遷移領域及びバルク結晶を成長させるために使用されることができる。 （もっと読む）

【解決手段】基板（１０）が、信号処理のための電子回路の一部を備えるように製造されるデバイス及びデバイス形成方法が開示されている。バルク単結晶材料（１４）は、基板（１０）上に直接形成されるか、中間の薄膜層上に形成されるか、又は、遷移領域（１２）上に形成される。このデバイスの特別な用途は、放射線検出器である。 （もっと読む）

本発明は、１成長サイクルで多数の単結晶を製造するための気相結晶成長装置に関する。気相結晶成長装置は、少なくとも１つの中央ソースチャンバと、複数の成長チャンバと、ソースチャンバから成長チャンバへの蒸気の移送に適用される複数の通路手段とを備え、少なくとも１つのソースチャンバが成長チャンバから熱的に分断される。 （もっと読む）