基板上に設けられたシリコンゲルマニウムバッファ層の中の転位位置を制御するための方法が、基板上に歪んだシリコンゲルマニウム層を蒸着するステップと、シリコンゲルマニウム層の１又はそれ以上の領域に転位誘発物質を照射するステップとを有する。転位誘発物質は、イオン、電子、又は他の照射源を含んでよい。シリコンゲルマニウム層の中の転位が、１又はそれ以上の領域に設けられている。そして、基板及び歪んだシリコンゲルマニウム層にアニーリングプロセスを施して、緩和した状態に歪んだシリコンゲルマニウム層を変える。歪んだシリコン又はシリコンゲルマニウム層の最上部を、緩和したシリコンゲルマニウム層の上に蒸着してもよい。そして、半導体ベースのデバイスを、歪んだシリコン又はシリコンゲルマニウム層の傷を付けていない領域に作製する。貫通転位が、ＳｉＯ_２絶縁領域に変わる領域がダメージを受けるのを抑制する。 （もっと読む）

転位が無い歪んだシリコンの薄膜を形成するための方法が、２つの湾曲したシリコン基板を与えるステップを有する。一方の基板は、背面上の二酸化シリコンの存在により湾曲する。他方の基板は、窒化シリコン層の存在により湾曲する。基板のうちの一方が、水素注入を受け、焼鈍処理において２つの基板を互いに接着する。２つの基板を離すと、一方の基板の前面に歪んだシリコン層が残る。そして、二酸化シリコン又は窒化シリコンの背面層を除去して、ほぼ平らな状態に基板を戻す。この方法を採用して転位の無い歪んだシリコン薄膜を形成してよい。この膜は、引張又は圧縮歪みのいずれかの状態でよい。 （もっと読む）

基板上に周期的なナノメートル寸法の構造体（例えば、穴）を有する自己組織化膜を形成する方法は、基板上に膜前駆体を設けるステップを含み、この膜前駆体は非結晶に維持される。この膜前駆体がブロック共重合体である場合、加熱部材が用意される。次に、前記基板と前記加熱部材を互いに相対運動させ、基板上の膜前駆体の一部がガラス転位温度まで熱される。基板と加熱部材間の相対運動は、自己組織化結晶膜が基板表面に形成されるまで続ける。代替実施例では、ｐＨ投与部材が用意され、ｐＨ調整剤が基板上に投与されて結晶膜の自己組織化が促進される。 （もっと読む）

シリコン基板上に光活性領域を形成するための方法が、シリコン基板上にシリコンのバッファ層をエピタキシャル成長させるステップと、複数の量子ドットアレイを有するＳｉＧｅのクラッド層をエピタキシャル成長させるステップとを具えており、量子ドットが、シリコンのバッファ層に対して格子不整合を有する化合物半導体材料で形成される。光活性領域を、発光ダイオード、レーザダイオード、及び光検出器といったデバイスに組み込んでよい。 （もっと読む）

高アスペクト比空間へ共形フィルムを蒸着する方法は、蒸着より前に空間内に前駆体ガスの勾配を形成するステップを含む。例えば、勾配は蒸着チャンバ内を減圧することにより、あるいは、蒸着チャンバの部分的な排出によって形成される。基板の温度がその後一時的に上昇することによって、高アスペクト比空間の閉じている、又は「深い」部分へ前駆物質が蒸着することが好ましい。このプロセスを複数サイクルくり返して、完全に空間を充填する。このプロセスにより、できたデバイスの動作に悪影響を与えるボイドもキーホールも発生させずに、高アスペクト比空間を充填することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】例えば浅溝素子分離に利用される浅溝を形成する方法は、ｐ型シリコン基板を提供するステップとｐ型シリコン基板に層を形成するステップとを具え、前記層がｎ型シリコン間に配置されているｐ型シリコンを具える。前記ｎ型シリコンの間に配置されている前記ｐ型シリコンに、次いで陽極酸化処理を行って多孔性シリコンを形成する。次いで、前記多孔性シリコン領域を酸化する。前記シリコン層の孔隙率を制御して、前記ｎ型上端層の上側表面とほぼ同一平面、上又は下にある素子分離領域を形成する。例えば、陽極酸化処理時間を調整することによって、後退した断面形状の浅溝を得ることができ、隣接するデバイス間の素子分離が改良される。 （もっと読む）

流量を分配又は配列するためのマイクロ流体デバイスが、マイクロ流体流路を介して連結された複数の上流側及び／又は下流側チャンバを有している。流体を分配するために、メインチャンバと複数の下流側のサブチャンバとを有する基板が設けられている。各サブチャンバは、閉止可能なベント穴と連通している。流体は、連通するベント穴を開放することによって、関心のある所望のサブチャンバの中に選択的に移動する。そして、流体を、サブチャンバの中に、例えば基板を回転させることで、送り込む。流す順序のため、少なくとも１の下流側チャンバに連結する複数の上流側チャンバを有する基板が設けられている。各上流側チャンバは、選択的に開放可能な関連するベント穴を有する。そして、基板が回転して、開放状態のバルブを具える上流側チャンバに含まれる流体が少なくとも１の下流側チャンバに移動する。 （もっと読む）

マイクロ流体を切り替える装置が、回転中心軸を有する平らなサブストレートと、この平らなサブストレートに設けられ分岐点まで半径方向に延在するマイクロチャネルとを具える。ある態様では、分岐点が２層分岐点のように形成され、ここでは、上流部分が下流部分から垂直方向にオフセットしている。さらに、上流部分の断面積は、下流部分よりも実質的に小さい。第１および第２の出口チャンバの一方の端部が、分岐点に接続されている。この装置は、中心軸を中心に時計回りに回転して、容器内の流体を第１（右側）の出口チャンバに流し、または反時計回りに回転して容器内の流体を第２（左側）の出口チャンバに流す。 （もっと読む）