【課題】本発明は、新規な優れた基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを著しく低下させつつ、加工中にフィルタを自動的にチューニングする方法の提供を図る。
【解決手段】共振器の所定の共振周波数を提供するために目標厚の層のスタックを物理的気相成長によって堆積する方法であって、圧電層２０６を堆積し、該圧電層の厚さをｉｎｓｉｔｕ測定し、そして、スタックの複合厚が前記目標厚と実質的に等しくなるように、さらなる１または２以上のフィルムを堆積することを含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層および／または直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法を提供すること。
【解決手段】一つの発明の特徴の音響共振器は、基材、該基材上に直接または該基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、該プライマー層上に備えられたおおむね滑らかなならびにおおむね結晶性の電極層、および該電極層上に備えられた圧電体層を含んでいる。該プライマー層、または該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 （もっと読む）

本発明は、ＲＦソース（１２）から駆動されるプラズマ発生器（１１）と、アクセラレータグリッド（１５）が横断して取り付けられている出口（１４）を有するプラズマまたはソースチャンバ（１３）とを備えるイオンガン（１０）に関する。アクセラレータグリッド（１５）は４つの個別のグリッドを備える。出口（１４）に最も近い第１のグリッド（１６）が直流源（１６ａ）によって正電圧に維持され、第２のグリッド（１７）が直流源（１７ａ）によって高い負電圧に維持される。第３のグリッド（１８）が、直流源（１８ａ）によって、第２のグリッド（１７）の負電圧よりも著しく低い負電圧に維持され、および、第４のグリッドが接地される。これらのグリッドを取り付ける手段も説明されている。
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本発明は、イオン源１０１、ターゲット１０２、傾斜角可変基板テーブル１０３および補助ポートを有するブロードビームイオン装置に関する。ターゲットは、複数のターゲットを運ぶ回転体の形であり、イオン源１０１は、ほぼ長方形状の断面をもつビーム１０５を生成するように構成される。
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本発明は、アンテナ１１、高周波源１２を利用するプラズマ発生器１３の形をしているプラズマ源に関する。発生したプラズマはチャンバー１４に流入し、イオンはグリッド１５によりチャンバー１４から加速される。部材１６は、局所的な損失を生じさせ、局所的なプラズマ密度を減少させるためにチャンバー内に位置する。
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本発明は、終端出口チャンネル（５）、及び、終端出口チャンネル（５）をマニフォールド（１）の末端（１１）に接続するビアホール（６）を持ったマニフォールドの配置（１）を具備する、微小流体素子に関する。終端出口チャンネル（５）とビアホール（６）とは協働して空気抜き口を形成する。ビアホールの形状は、ビアホールのマニフォールドに対する予想される位置合わせバラツキによらず、ビアホールがマニフォールドの末端に常に重なるような形状となっている。好適には、マニフォールドはほぼ長尺状の断面を持つことが望ましい。
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参照符号（１）で示す基材加工システム。基材（２）基材載置位置（３a）と加工位置（３b）の双方において図示してあるピストン（３）に載置されている。基材はドア（５）からポート（４）を介して載置される。載置領域（７a）および/または残るチャンバー空間（７）は（図示しない)ポンプと接続する真空排気パイプ(6)を介してポンプアウトすることができる。簡略化して図示した線形駆動機構（８）がチャンバー内でピストンおよび基材を上昇させることによって、ピストンとチャンバー壁とが密着した状態の、チャンバーのプロセス・ボリュームが画定される。 （もっと読む）

本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。
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能動流体デバイス（４）を含む第一の層（１）、デバイス（４）を流体源および／または出口および／または他のデバイスに連結するための１つの相互連結流路（６）を含む第二の層（３）、およびデバイス（４）と相互連結流路（６）間の流体通路を定める少なくとも１つのビア（５）を定める中間層（２）を含むマイクロ流体構造であって、ここでデバイス（４）および相互連結通路（６）を通る流路が概して平行である。
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