説明

ザイカーブ・セラミクス・ビー.ブイ.により出願された特許

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【課題】基板ホルダー材料の温度均一性向上のために、基板ホルダー用の基板ホルダー材料の加工方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に種々の半導体材料の層状蒸着を誘導加熱を用いて形成するために、その第1の側上に該半導体基板を載置する基板ホルダーの材料加工方法であって、前記方法は、前記基板ホルダー材料上の少なくとも1つの測定位置における第1の電気抵抗率を求めるステップと、前記第1の電気抵抗率を第2の基準電気抵抗率と比較するステップと、前記比較に対応させて前記基板ホルダー材料を修正するステップと、を備える。 (もっと読む)


本発明は、基板支持体が配置されている処理スペースと、半導体基板を処理スペースへ誘導しそこから除去することを助けるため基板支持体の平面へ移動またはその平面から出されることができる幾つかのリフトピン50とを具備する付着装置に関する。装置は、半導体基板および/または基板支持体と接触を行うリフトピン50の接触表面52には半導体基板および/または基板支持体よりも低い硬度を有する材料層54が設けられていることを特徴とする。これは前記基板が不所望に基板支持体(サセプタ)から上げられ、あるいはそこへ下げられる結果として基板および/または基板支持体に対して損傷が生じる危険性をなくす。したがって半導体製造プロセスに悪影響する可能性がある傷が形成され、粒子が解放される危険性はない。 (もっと読む)


本発明は、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置(10)であって、前記基板が置かれうる上面(11)を有している実質的に平坦なプレートを具備した装置に関する。本発明は、このような装置(10)の製造方法にも関する。本発明の目的は、前文に記載の装置(10)であって、安価且つ単純な構成であるが、例えば、基板に保護ガスを供給するか、又は、基板をエアクッション上で静止させるために、或る製造条件下で基板の方向へのプロセスガスの通過を可能とする装置を提供することにある。本発明によると、プレートの上面(11)は、少なくとも部分的に多孔質(14)である。そのため、当技術の現状において通常必要とされるような、装置(10)の高価且つ極端に精密な機械加工は不要であり、これにより、装置(10)を遥かに低いコストで製造することを可能としている。 (もっと読む)


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