本発明は、工程ガスをプロセスチャンバー内に導入し、真空プロセス装置の排気経路を介して工程ガスを排気する真空処理装置に関する。１つ以上の乾式真空ポンプ内の、排気ガスによって作り出された堆積物を、プロセスチャンバーが待機状態の間に、フッ化水素酸をその乾式ポンプの上流に導入することによって取り除く。フッ化水素酸は、フォアラインのノズルを介して乾式ポンプの上流に導入するか、または乾式ポンプの吸入口から導入する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、プロセスガスがプロセス室内に導入され且つ真空加工システムの排気路を通して排出される、真空加工システムに関する。排気ガスによって形成される堆積物は、堆積物の影響を受ける装置の上流にて反応性気体を導入することにより減少し又は解消する。影響を受けた装置の上流及び下流にて排出された気体成分の気相濃度を測定し、また、これらの測定値から、影響を受けた装置上の堆積物にて成分が消費されているかどうかを決定することにより導入された反応性気体の量が制御される。 （もっと読む）

本発明は半導体処理に使用するためのポンプ装置に関する。装置はほぼ分子圧からほぼ大気圧へ物質流れを移行させるように形状づけられた単一のポンプを有することができる。 （もっと読む）

本発明はプロセス流量及びターボ分子ポンプにより真空化される真空プロセス室内の圧力を制御するための装置及び方法である。ポンプとプロセス室との間のスロットル弁は圧力及び流量を規制するように制御される。ポンプの下流側の支援弁はまた好ましい安定した作動範囲内でのスロットル弁の設定を維持するように制御される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ターボ分子真空ポンプ及び圧送した媒質内の電気的に帯電し又は中性の粒子の何れかとロータとの相互作用に起因するロータ内の蓄積した静電荷を減少し又は解消する装置に関する。ロータと電気的に接地されたステータとの間の電荷の交換は、線又はその他の電気的接触手段、又は電界放出先端のような電荷放出装置を通じて行なわれる。何れの場合にも、ロータ内の静電荷は減少し又は解消する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理ツールに取り付けられた補助的な装備と、半導体処理ツールから離れた供給センタを含み、局所的な空間要求を最小化し、修理のための容易なアクセスを促進する配置。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体処理システムの装置構成部品において副産物の蓄積を低減又は実質的に除去することにより、堆積システムのような半導体処理システムの効率を向上させるための、システム、装置及び方法を提供する。また、本発明は、半導体処理システムに関するフォアライン・トラップの効率を向上させることに関し、そこでは、該トラップは、処理チャンバからの排気ガス中の副産物の実質的に全てを取り除く。さらに、本発明は、半導体処理システムの排気ガスから生じる蓄積された副産物をトラップからクリーニングする、システム、装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】 処理流体を半導体処理ツールに供給するための、改良された大量流体分配システム。交番圧力容器エンジンを有する改良されたシステムは、分注している容器内の流体の重量が変化することから生じる水頭損失に起因する大量流体供給配管内の圧力変動を実質的に無くする。本システムは、流体供給配管内の流体の流れの状態を柔軟に制御できるようにする。 （もっと読む）

【解決手段】 半導体製造工程への供給配管内の流体の圧力を制御するための改良された大量流体分配システム。本分配システムは、圧力容器又はパルス減衰器の何れかを備えたポンプベースのエンジンを含んでいる。ポンプ圧力容器の実施形態では、制御器は、供給配管内の流体の圧力を監視し、容器の分注圧力を調節する。ポンプパルス減衰器の実施形態では、制御器は、供給配管内の流体の圧力を監視し、ポンプの流量を調節して、供給配管内の圧力を所定の設定値に維持する。 （もっと読む）

本発明は両立できないガスを収容する多数の真空処理室を真空化するための装置及び方法である。ガスはプレコンディショニング装置を収容する大気中より低い除去室へ導かれる。ガスは除去室において両立できるように処理される。次いで、両立できるようになったガスは単一のストリーム６として除去室から支援ポンプを通して引き出される。 （もっと読む）