【課題】本願発明はパッケージ構造を示す。
【解決手段】本願発明は構造と、積層したダイのパッケージの構造体と、その形成方法を提供することであって、
第１のダイ上に備えられた弾性接着剤層は、第１のダイの全上表面を覆い、第１コンタクトパッド上に形成された開口を除いた第１の周辺端部に枠を形成する。弾性接着剤層のこの形状を用いることで、本願発明はダイのコンタクトパッド上でワイヤーボンディングする際にダイ中に発生する微小なクラックを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】パッケージサイズを削減し、歩留向上、信頼性向上を実現する半導体デバイスパッケージの構造を提供する。
【解決手段】ダイ受入れスルーホール１０５内に配置され、第１ボンディングパッド１０８を有する第１ダイ１０４および第２ボンディングパッド１３４を有する第２ダイ１３２と、第１ダイ１０４および第２ダイ１３２の下に形成された第１接着材料１０６と、第１ダイと、第２ダイと、基板１０２のダイ受け入れスルーホール１０５の側壁と、の間の隙間を埋めた第２接着材料１０７と、第１ボンディングパッド１０８と第１コンタクトパッド１１３との間を連結し、第２ボンディングパッド１３４と第１コンタクトパッド１１３との間を連結するボンディングワイヤ１１２と、ボンディングワイヤ１１２と、第１ダイ１０４と、第２ダイ１３２と、基板１０２と、の上に形成された誘電体層１１８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の整合が良好で、小型化され、さらに熱サイクル試験において高い信頼性を有するファンアウト型ウェハレベルパッケージ構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイスパッケージは、ダイ受入れスルーホール１０６と、コンダクティブコネクティングスルーホール構造と、基板１０２の両表面に形成された第１の接続パッド１０４と、が少なくとも備えられた基板を有している。ダイ１０６は、ダイ受入れスルーホール内に配置されている。第１の部材１１０は、ダイの下方に設けられており、第２の部材１１１は、ダイの下方に設けられるとともにダイとダイ受入れスルーホールの側壁との間に形成された空間に充填されている。誘電体層１１６、１２８は、ダイおよび基板の両表面に形成されている。再配線層１１８、１３０は、両表面に形成され、コンタクトパッドに連結されている。プロテクション層１２６、１３２は、再配線層を覆って形成されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージの厚さを削減するために、積み重ねられたビルドアップ層およびＲＤＬを有しないファンアウト型ＷＬＰ（ＦＯ−ＷＬＰ）構造を提供する。
【解決手段】ダイ１６は、接着によってダイ受入れキャビティ内に配置され、誘電体層１８は、ダイおよび基板上に形成される。再配線ビルドアップ層（ＲＤＬ）２４が誘電体層上に形成され、ダイおよびスルーホール構造体に連結される。導電バンプが端子パッドに連結される。イメージセンサチップ用のダイのマイクロレンズ領域４２を露出するために、誘電体層と上側の保護層２６とに開口部が形成される。パーティクルコンタミネーションを遠ざけるためにマイクロレンズ領域をはっ水剤およびはつ油剤でコーティングした保護層（フィルム）。コーティングされたＩＲフィルタを備えた透明カバー４４が、保護のためにマイクロレンズ領域を覆って選択的に形成される。 （もっと読む）

【課題】自己チップ再分配のための装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、フォトレジストの層により形成されたトレンチ１８およびキャビティ１９を上部に備えるガラスベース１２を含む。チップ１０は、切り出されたウェハ１からピッキングされ、ガラスベース上に配置され、インデックスバー１５の前方へ流体の流れによって移動される。ガラスベースおよびインデックスバーは、チップをチップキャビティに充填するために低周波数で振動する。本発明は、自己再分配ツールを提供すること、再分配されたチップをパネル形成ツール上に移動すること、チップパネルを形成し、前記チップパネルをパネル形成ツールから分離すること、を含む自己チップ再分配のための方法をさらに提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上部表面の範囲内に形成されたダイ受けキャビティと内部の導電性配線とを含む基板と、ダイ受けキャビティ内に配置されるマイクロレンズを含むダイとを有するイメージセンサモジュール構造を提供する。
【解決手段】誘電層はダイと基板の上に形成され、再分配伝導層（ＲＤＬ）が誘電層の上に形成され、ＲＤＬがダイおよび導電性配線と接続され、誘電層がマイクロレンズを露出するための開口を有する。基板上にはレンズホルダーが取り付けられており、レンズホルダーは上部にレンズが取り付けられている。フィルタが、レンズとマイクロレンズの間に取り付けられている。構造体は、さらに、レンズホルダー内で基板の上部表面に受動素子を有する。 （もっと読む）

【課題】コネクタなしでＭＢと連結するイメージセンサモジュールを提供する。
【解決手段】上面内に形成されたパッケージ受入れキャビティおよび内側の導電トレース１０６を備えた基板１００と、パッケージ受入れキャビティ内に配置されたマイクロレンズ１１６を備えたダイ１０４を有するパッケージとを含むイメージセンサモジュール。パッケージおよび基板上に誘電体層が形成され、再配線導電層（ＲＤＬ）が誘電体層上に形成され、ＲＤＬは、ダイおよび導電トレースに結合され、誘電体層はマイクロレンズを露出するための開口部を有する。基板にレンズホルダ１１０が取り付けられ、レンズホルダは、レンズホルダの上部に取り付けられたレンズ１１２を有する。レンズとマイクロレンズとの間にフィルタ１１４が取り付けられる。構造体は、さらにレンズホルダ内側の基板上面に受動素子を含む。 （もっと読む）

【課題】スルーホールを有するダイを有する半導体イメージデバイスパッケージを提供する。
【解決手段】スルーホール４を有するダイ６を備える基板２と、コネクティングスルーホール２２構造と、第１コンタクトパッド３と、スルーホール４を有するダイ６内に配置されるマイクロレンズエリア６０を有するダイと、マイクロレンズエリア６０を覆う透明カバーと、ダイ６の下に形成され、ダイ６とスルーホール４を有するダイ６との間のギャップに充填される、周囲材料と、ダイ６と基板２との上に形成される誘電層１２と、誘電層１２上に形成され、第１コンタクトパッド３と接続される再配線層（ＲＤＬ）１４と、ＲＤＬ１４よりも上に形成される保護層２６と、基板２の下表面に形成され、コネクティングスルーホール２２構造の下に形成される第２コンタクトパッド１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接地能力を強めて、アンテナを内蔵する３Ｄ電子パッケージ構造を提供する。
【解決手段】パッケージユニット３００はユニットの上部および下部表面上の信号接触３０２，３１４，３１５，３１６を通してマルチチップスタックを成し遂げることができる。単一または複数の接地層３１１は、半導体素子のための接地を容易にするためにパッケージユニット３００の基板の裏にあり、ウェーハレベルパッケージングプロセスに適用される。前記接地層３１１は電子素子の信号伝送路である。また、電子素子層３１３の周囲の単一または複数のビアホールは、パッケージ構造の上部および下部表面の間の電気信号接続を可能にし、パッケージユニット３００のさらなる機能性を可能にする。さらに、接地層３１１はアンテナを内蔵した３Ｄスタックパッケージ構造を構成するための円形の信号通信路を有しうる。 （もっと読む）

【課題】より信頼性が高くよりコストが低いＳＩＰを提供する。
【解決手段】上面の範囲中に形成されたダイ保持キャビティと、貫通する第１の貫通孔構造とを有する基板と、ここで、端子パッドは、前記第１貫通孔構造の下方に形成される。第１ダイは、前記ダイ保持キャビティの範囲内に配置され、第１誘電層は、前記第１ダイおよび前記基板上に形成される。第１再分配伝導層（ＲＤＬ）は前記第１誘電層上に形成される。第２誘電層は前記第１ＲＤＬ上に形成される。第３誘電層は、前記第２ダイの下に形成される。第２再分配伝導層（ＲＤＬ）は前記第３誘電層の下に形成される。第４誘電層は、前記第２ＲＤＬの下に形成される。伝導バンプは、前記第１ＲＤＬおよび前記第２ＲＤＬを連結する。前記第２ダイは、前記第１ＲＤＬ、前記第２ＲＤＬおよび前記伝導バンプを介して前記第１ダイに接続される。 （もっと読む）