対向する前後面を有する半導体基板と、放射線を受光するよう構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、前記半導体基板の後面に形成された、複数のアノード電極とを含む放射線検出器を開示する。半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数は、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材の仕事関数よりも小さい。

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ダイレクトリソグラフィーによって半導体基板の上に接触子を組み立てるための方法が提供される。本方法によれば、電極の耐久密着性、画素間抵抗の増大、および遮断用接触子として作用する電極が得られ、それにより、結果として得られる放射線検出器においてエネルギー分解能の改善がもたらされる。

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化合物を化合、均質化、および圧密化する方法が提供される。一つの態様において、装入成分を制御された添加法で混合し、次いで新たに形成した化合物を加熱して完全に溶融させたのち、室温で急冷する。代替態様では、成分を、溶媒として作用する一つの成分が過剰にある状態で供給し、加熱してさらなる成分を溶解させたのち、溶媒を化合物から分離して、均質で圧密化した化合物を製造する。本明細書の方法は、CdTe、CdZnTeおよびZnTe化合物を製造するための経済的かつ迅速なプロセスを提供するために好都合に適用される。

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