基板照明、および検査装置は、基板、特に基板のエッジを照明して検査する。装置は光拡散器を使用し、基板の均一な拡散照明を行うために光拡散器の外部又は内部に複数の光源が配置されている。光拡散器の外部に設けられた光学系及び撮像装置を使用して鏡面を含む基板の複数の表面の検査を行う。光学系は表面法線に対して角度をなして保持され、基板の鏡面からの反射像を回避する。光学系は基板のエッジの中心点に対して放射状に回転させることができ、基板のエッジの全表面に焦点を合わせて検査を行うことができる。複数の光源は光の色と強度を調節することができ、基板の欠陥検査性能を高めることができる。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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水素と非酸素系酸化剤の混合ガスの燃焼炎を使用する基板処理方法及び装置である。方法は、水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を基板表面に接触させて表面上の薄膜と化学的に反応させ、基板をエッチングする。方法は、実質的に不活性かつ非イオン化環境下において実質的に大気圧で行われる。上記方法によって基板を処理するための装置は、不活性環境とされる処理室と、基板ホルダに保持された基板に燃焼炎を放出するためのノズルヘッドと、を有する。一実施形態では、ウェハのエッジ近傍及びエッジを処理するために、エッジノズルアセンブリがウェハのエッジに対して角度をなして配置される。この実施形態では、処理対象のエッジ近傍領域においてヒーターによって基板を予熱する。
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