【課題】一般にショットキー整流器は定格逆電圧での逆漏れが高く、一方ＰＮ構造ダイオードは逆漏れがすくない。両者を並列接続し、低順方向電圧降下を与えると共に、両端で逆サージを保護する。
【解決手段】低逆電圧定格化ＰＮダイオード、および独立集積回路素子におけるＰＮダイオードに電気的に並列接続した高逆電圧定格化ショットキー整流器からなる低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサー。 （もっと読む）

独立ＩＣチップ素子において高逆電圧定格化ショットキー整流器と電気的に並列接続した低逆電圧定格化ＰＮダイオードを利用した低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサーである。この過渡電圧サプレッサーは、理想的には、ＰＮダイオードの高順方向電圧降下およびショットキー整流器の低逆破壊の大きな漏れの問題を解決するための最善のサプレッサーである。低逆電圧ＰＮ整流器は、（１）（下の層のエピタキシー成長濃度が高い）二層のエピタキシー成長層、および（２）ベース幅圧縮によるＰＮダイオードのパンチスルー設計などの方法によって製造できる。 （もっと読む）

過渡電圧の抑制に用いることのできるブランケットインプラントデバイスはＰ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板を有する。酸化物マスクをＰ−領域に隣接してかつその上に積層する。Ｐ−領域の一部から酸化物マスクを部分的にエッチングにより除去してエッチングされた領域を形成する。Ｎ−型の主接合インプラントは、インプラントエッチングされた領域内にインプラントされＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成する。そして酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に金属を積層して、電極を形成する。Ｐ−Ｎ接合の両側に端子を電気的に接続してもよい。本発明を製造および使用する方法、および過渡電圧を抑制する方法も提供する。 （もっと読む）