水素透過性の遷移金属からなる光反射層４が、黒色吸収状態から切換えできる遷移金属（水素化物）層３上に蒸着される。水素透過性の遷移金属からなる触媒層５が反射層４の上面に蒸着される。遷移金属としてＴｉおよび／またはＰｄを３層３，４，５全てに使用してもよい。同時スパッタリングを用いて、いかなる材料から構成されてもよい基板２上に厚さが最大１００ｎｍの遷移金属（水素化物）切換え層３を蒸着することができる。光反射層４の厚さは、切換え層３の厚さよりも大きく、１０ｎｍ超（しかし、好ましくは５０〜２００ｎｍ）として（全くまたは）殆ど伝播がないようにする。触媒層５の厚さは約１０ｎｍである。検知器１１を備えると、水素センサを製造することができる。あるいは、流体加熱器１８を備えることにより、温度制御された太陽エネルギー変換器１７を製造することができる。
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