説明

ヴァリオス株式会社により出願された特許

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【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ12は回転駆動軸15に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ14が配置される開口部13は、上記サセプタ12の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ12の下方には上記基板ホルダ15が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ12の回転により基板ホルダ14が回転しうる係合部16が設けられている。 (もっと読む)


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