【課題】集束加熱源を使用して半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを調整（すなわち、修正または変更）する方法が提供される。
【解決手段】この方法は、集束加熱源（例えば、レーザ）の溶融作用によって、より高ドーパント濃度の隣接領域からドーパントを拡散させることによって、低ドーパント濃度の領域のドーパント・プロファイルを変更する（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことによって、半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを微調整するために利用されてよい。本発明は、特に、以前には存在しなかった導電性リンクと導電路との形成のための、回路に対するレーザの使用に関する。さらに、本発明は、特に、ギャップ領域の長さに沿った１つまたは複数の導電性ブリッジの位置に応じてインピーダンスの変更（すなわち、トリミングまたは調整）が有利に行われることが可能な手段に関する。 （もっと読む）